物料型号：
- 型号：2SB1185
器件简介：
- 2SB1185是一款硅PNP功率晶体管，采用TO-220Fa封装，具有低集电极饱和电压，是2SD1762型号的互补类型。
引脚分配：
- 1号引脚：发射极（Emitter）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：基极（Base）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-60V，开发射极
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-50V，开基极
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开集电极
- 集电极电流（Ic）：-3A
- 集电极峰值电流（IcM）：-4.5A
- 集电极功耗（Pc）：2.0W，环境温度Ta=25°C
- 结温（T）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C
功能详解：
- 2SB1185的主要特性包括集电极-发射极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益（hFE）、转换频率（fr）和集电极输出电容（COB）。
应用信息：
- 2SB1185适用于低频功率放大器应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-220Fa，文档中提供了简化外形图和符号，以及外形尺寸图，未标注的公差为±0.15mm。
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