物料型号:
- 型号:2SB1255
器件简介:
- 2SB1255是一款硅PNP达林顿功率晶体管,采用TO-3PFa封装,适合90W的高保真输出,具有高转发电流传输比(hFE)和低集电极-发射极饱和电压。
引脚分配:
- 引脚1:基极(Base)
- 引脚2:宽集电极(w Collector)
- 引脚3:发射极(Emitter)
参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):-160V,开路发射极
- 集电极-发射极电压(VCEO):-140V,开路基极
- 发射极-基极电压(VEBO):-8V,开路集电极
- 集电极电流(Ic):-15A
- 集电极峰值电流(IcP):-12A
- 集电极功耗(Pc):100W,Tc=25°C
- 结温(Tj):150°C
- 存储温度(Tstg):-55~150°C
功能详解:
- 2SB1255在Tj=25℃的条件下,具有以下特性:
- VCEO:-140V,IC=-30mA,IB=0
- VCEsat:-2.5V,IC=-7A,IB=-7mA
- VBEsat:-3.0V,IC=-7A,IB=-7mA
- ICBO:-100μA,VCB=-160V,IE=0
- ICEO:-100μA,VCE=-140V,IB=0
- IEBO:-100μA,VEB=-5V,IC=0
- hFE-1:2000(IC=-1A,VCE=-5V)
- hFE-2:5000至30000(IC=-7A,VCE=-5V)
- fT:20MHz(IC=0.5A,VCE=-10V,f=1MHz)
应用信息:
- 2SB1255适用于功率放大。
封装信息:
- 封装类型为TO-3PFa,文档中提供了简化外形图和符号。