物料型号：
- 型号为2SB1274。
器件简介：
- 2SB1274是一款硅PNP功率晶体管，具有TO-220F封装，与2SD1913型号互补，具有高可靠性、高击穿电压、低饱和电压和广泛的安全操作区域。
引脚分配：
- PIN 1: Emitter（发射极）
- PIN 2: Collector（集电极）
- PIN 3: Base（基极）
参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25℃）：
- VCBO（集-基电压）：-60V
- VCEO（集-射电压）：-60V
- VEBO（射-基电压）：-6V
- Ic（集电极电流）：-3A
- IcM（集电极峰值电流）：-8A
- Pc（集电极耗散功率）：20W
- Tj（结温）：150℃
- Tstg（存储温度）：-55~150℃
功能详解：
- 特性表（Tj=25℃除非另有说明）：
- V(BR)CBO（集-基击穿电压）：-60V
- V(BR)CEO（集-射击穿电压）：-60V
- VBR)EBO（基-射击穿电压）：-6V
- VcEsat（集-射饱和电压）：-0.4~-1.0V
- VBE（基-射电压）：-0.8~-1.0V
- ICBO（集截止电流）：-0.1mA
- IEBO（射截止电流）：-0.1mA
- hFE-1（直流电流增益）：70~280
- hFE-2（直流电流增益）：20（Ic=-3A;VcE=-5V）
- fT（过渡频率）：100MHz
- COB（输出电容）：60pF
应用信息：
- 60V/3A低频功率放大器。
- 一般功率放大器应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-220F。
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