2SB1382

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB1382 - isc Silicon PNP Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1382 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -120V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 2000( Min.) @(IC= -8A, VCE= -4V) ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (IC= -8A, IB= -16mA) ·Complement to Type 2SD2082 B APPLICATIONS ·Designed for chopper regulator, DC motor driver and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO IC Emitter-Base Voltage -6 V Collector Current-Continuous -16 A ICM Collector Current-Peak -26 A IB Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature -1 A PC 75 W ℃ ℃ TJ Tstg 150 Storage Temperature -55~150 isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SB1382 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -10mA ; IB= 0 -120 V VCE(sat) VBE(sat) ICBO IEBO Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -8A; IB= -16mA B -1.5 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= -8A; IB= -16mA B -2.5 V μA Collector Cutoff Current VCB= -120V ; IE= 0 VEB= -6V; IC= 0 -10 Emitter Cutoff Current -10 mA hFE DC Current Gain IC= -8A ; VCE= -4V 2000 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= -10V; ftest= 1MHz IE= 1A ; VCE= -12V 350 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product 50 MHz Switching Times ton tstg tf Turn-on Time VCC= -40V, RL= 5Ω, IC= -8A; IB1= -IB2= -16mA, 0.8 μs μs μs Storage Time 1.8 Fall Time 1.0 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SB1382

1. 物料型号： - 型号为2SB1382，是一款ISC Silicon PNP Darlington Power Transistor。

2. 器件简介： - 2SB1382是一个硅PNP达林顿功率晶体管，具有高直流电流增益（最小值为2000），低集电极饱和电压（最大值为1.5V），并且是2SD2082的互补型号。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：集电极（COLLECTOR） - 引脚3：发射极（EMITTER） - 封装为TO-3PML。

4. 参数特性： - 集电极-发射极击穿电压（V_{(BR)CEO}）：最小-120V - 直流电流增益（h_{FE}）：最小2000（在I_{C}=-8A, V_{CE}=-4V时） - 集电极饱和电压（V_{CE(sat)}）：最大-1.5V（在I_{C}=-8A, I_{B}=-16mA时）

5. 功能详解： - 2SB1382设计用于斩波调节器、直流电机驱动器和通用应用。

6. 应用信息： - 适用于斩波调节器、直流电机驱动器和一般用途。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3PML，具体尺寸参数如下： - A: 19.90mm至20.10mm - B: 15.90mm - C: 5.50mm至5.70mm - D: 0.90mm至1.10mm - F: 3.30mm至3.50mm - G: 2.90mm至3.10mm - H: 0.595mm - K: 22.30mm至22.50mm - N: 10.80mm至11.00mm - O: 4.90mm至5.10mm - R: 3.75mm至3.95mm - S: 3.20mm至3.40mm - U: 9.90mm至10.10mm - Y: 4.70mm至4.90mm

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