1. 物料型号：2SB1391
2. 器件简介：
- 该器件是Inchange Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。
- 特点包括TO-220Fa封装、高直流电流增益、低集电极饱和电压、达林顿结构。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-120V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-120V
- 发射极-基极电压（VEBO）：-7V
- 集电极电流（Ic）：-8A
- 集电极峰值电流（IcM）：-12A
- 集电极功耗（Pc）：2W（Ta=25°C时）
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C
5. 功能详解：
- 该晶体管的主要特性包括集电极-发射极击穿电压（VBRCEO）、集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）、发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）、集电极-发射极饱和电压（VcEsat）、基极-发射极饱和电压（VBEsat）、集电极截止电流（ICBO）、集电极截止电流（ICEO）以及直流电流增益（hFE）。
6. 应用信息：
- 适用于功率开关应用。
7. 封装信息：
- 该器件采用TO-220Fa封装，具体尺寸图示和符号如图1所示，未标注的公差为±0.15mm。
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