2SB1411

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB1411 - isc Silicon PNP Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1411 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -100V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 1500(Min)@ (VCE= -3V, IC= -1A) ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (IC= -1A, IB= -2mA) B APPLICATIONS ·High power switching applications. ·Hammer drive, pulse motor drive applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @Ta=25℃ PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ TJ Tstg Junction Temperature Storage Temperature 20 150 -55~150 ℃ ℃ VALUE -100 -100 -7 -2 -3 -0.5 2 W UNIT V V V A A A isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SB1411 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -30mA; IB= 0 -100 V VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat) ICBO Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -1A; IB= -2mA B -1.5 V Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -2A; IB= -8mA B -2.5 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= -1A; IB= -2mA B -2.2 V μA Collector Cutoff Current VCB= -100V; IE= 0 -100 IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -6V; IC= 0 -2.5 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -1A; VCE= -3V 1500 15000 hFE-2 DC Current Gain IC= -2A; VCE= -3V 1000 Switching Times μs μs μs ton tstg tf Turn-on Time IC= -1A, IB1= -IB2= -2mA, VCC≈ -30V; RL= 30Ω 1.0 Storage Time 3.0 Fall Time 2.0 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SB1411

1. 物料型号：2SB1411，是INCHANGE Semiconductor公司生产的硅PNP达林顿功率晶体管。

2. 器件简介： - 集电极-发射极击穿电压：最小值-100V。 - 高直流电流增益：最小值1500（在VCE=-3V，IC=-1A时）。 - 低集电极饱和电压：最大值-1.5V（在IC=-1A，IB=-2mA时）。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITT ER（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO：-100V - VCEO：-100V - VEBO：-7V - Ic（集电极连续电流）：-2A - IcM（集电极峰值电流）：-3A - lB（基极连续电流）：-0.5A - Pc（25°C时集电极功率耗散）：2W - TJ（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-55~150°C

5. 功能详解： - 适用于高功率开关应用和锤击驱动、脉冲电机驱动应用。

6. 应用信息： - 2SB1411适用于高功率开关应用和锤击驱动、脉冲电机驱动应用。

7. 封装信息： - 采用TO-220F封装，具体尺寸参数如下： - A: 14.95mm~15.05mm - B: 10.00mm~10.10mm - C: 4.40mm~4.60mm - D: 0.75mm~0.80mm - F: 3.10mm~3.30mm - H: 3.70mm~3.90mm - J: 0.50mm~0.70mm - K: 13.4mm~13.6mm - L: 1.10mm~1.30mm - N: 5.00mm~5.20mm - Q: 2.70mm~2.90mm - R: 2.20mm~2.40mm - S: 2.65mm~2.85mm - U: 6.40mm~6.60mm

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