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2SB1436

2SB1436

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SB1436 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB1436 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1436 DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD2166 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For audio power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION · Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak Ta=25℃ PD Total power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 5 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -30 -20 -6 -5 -10 1.5 W UNIT V V V A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO VCEsat ICBO IEBO hFE fT Cob PARAMETER Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=-50μA ;IE=0 IC=-1mA ;IB=0 B 2SB1436 MIN -30 -20 -6 TYP. MAX UNIT V V V IE=-50μA ;IC=0 IC=-4A ;IB=-0.1A B -1.0 -0.5 -0.5 180 120 60 390 V μA μA VCB=-20V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.5A ; VCE=-2V IE=50mA ; VCE=-6V; f=30MHz IE=0 ; VCB=-20V; f=1MHz MHz pF 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1436 Fig.2 Outline dimensions 3
2SB1436
物料型号: - 型号:2SB1436

器件简介: - 2SB1436是一款由Inchange Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管,具有TO-126封装,与2SD2166型号互补,适用于音频功率放大器应用。

引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:基极(Base)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):-30V(开路发射极) - 集-射电压(VCEO):-20V(开路基极) - 发-基电压(VEBO):-6V(开路集电极) - 集电极电流(DC)(Ic):-5A - 集电极峰值电流(IcM):-10A - 总功率耗散(PD):1.5W(T=25°C),5W(Tc=25°C) - 结温(T):150°C - 存储温度(Tstg):-55~150°C

功能详解: - 该晶体管的主要特性包括集-基击穿电压、集-射击穿电压、发-基击穿电压、集-射饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益(hFE)、转换频率(fT)和集电极输出电容(Cob)。

应用信息: - 2SB1436适用于音频功率放大器应用。

封装信息: - PDF中提供了TO-126封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图。
2SB1436 价格&库存

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