1. 物料型号：2SB1550，是由Inchange Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistors。
2. 器件简介：
- 采用TO-220C封装。
- 高直流电流增益。
- 适用于达林顿应用。
- 适用于中速和功率开关应用。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极；连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-80V，开发射极。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-80V，开基极。
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开集电极。
- 集电极电流（Ic）：-10A。
- 集电极功耗（Pc）：40W，Tc=25°C。
- 结温（T）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C。
5. 功能详解：
- 包括击穿电压、饱和电压、截止电流和直流电流增益等参数。例如，集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）为-80V，基极-发射极饱和电压（VBEsat）为-2.5V，直流电流增益（hFE）范围在1000至20000之间。
6. 应用信息：
- 适用于中速和功率开关应用，以及达林顿配置。
7. 封装信息：
- 提供了TO-220C封装的简化外形图和符号，以及外形尺寸图。
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