2SB1568

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB1568 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1568 DESCRIPTION ・With TO-220F package ・Complement to type 2SD2399 ・High DC current gain. ・Low saturation voltage. ・DARLINGTON APPLICATIONS ・For power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25℃ PC Collector dissipation 2 Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -80 -80 -7 -4 -6 30 W UNIT V V V A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SB1568 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-1mA; IB=0 -80 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-50μA; IE=0 -80 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-5mA; IC=0 -7 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2A ; IB=-4mA -1.0 -3.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-80V;IE=0 -100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V;IC=0 -3.0 mA hFE DC current gain IC=-2A ; VCE=-3V 1000 10000 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz 35 pF fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-5V;f=10MHz 12 MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1568 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SB1568

1. 物料型号：2SB1568，由Inchange Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介：该晶体管具有高直流电流增益和低饱和电压，采用TO-220F封装，与2SD2399型号相补。适用于功率放大应用。

3. 引脚分配： - PIN 1: Base（基极） - PIN 2: Collector M（集电极） - PIN 3: Emitter（发射极）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-80V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-80V - 发射极-基极电压（VEBO）：-7V - 集电极电流（Ic）：-4A - 集电极峰值电流（IcM）：-6A - 集电极耗散功率（Pc）：30W（在Tc=25°C时） - 结温（Tj）：150℃ - 存储温度（Tstg）：-55~150℃

5. 功能详解： - 该晶体管在Tj=25℃时的特性参数包括： - 集电极-发射极击穿电压（V BRCEO）：-80V - 集电极-基极击穿电压（VBRCBO）：-80V - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：-7V - 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-1.0V至-3.0V - 集电极截止电流（ICBO）：-100A - 发射极截止电流（IEBO）：-3.0mA - 直流电流增益（hFE）：1000至10000 - 输出电容（CoB）：35pF - 转换频率（fT）：12MHz

6. 应用信息：适用于功率放大应用。

7. 封装信息：TO-220F封装，具体尺寸见图2。

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