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2SB1624

2SB1624

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SB1624 - Silicon PNP Darlington Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB1624 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors 2SB1624 DESCRIPTION ・With TO-3PN package ・Complement to type 2SD2493 APPLICATIONS ・Audio ,regulator and general purpose PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -110 -110 -5 -6 -1 60 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE Cob fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-30mA ;IB=0 IC=-5A ;IB=-5mA IC=-5A ;IB=-5mA VCB=-110V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-5A ; VCE=-4V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-12V 5000 110 100 MIN -110 TYP. 2SB1624 MAX UNIT V -2.5 -3.0 -100 -100 V V μA μA pF MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=-5A;RL=6Ω IB1=- IB2=-5mA VCC=-30V 1.1 3.2 1.1 μs μs μs hFE Classifications O 5000-12000 P 6500-20000 Y 15000-30000 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1624 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2SB1624
物料型号: - 型号:2SB1624

器件简介: - 2SB1624是一款硅PNP达林顿功率晶体管,具有TO-3PN封装,与2SD2493型号相匹配,适用于音频、调节器和一般用途。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):-110V,开路发射极 - 集电极-发射极电压(VCEO):-110V,开路基极 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V,开路集电极 - 集电极电流(Ic):-6A - 基极电流(Ib):-1A - 集电极功耗(Pc):60W,Tc=25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55~150°C

功能详解: - 该晶体管具有达林顿结构,具有高电流增益(hFE),输出电容(Cob)和过渡频率(fT)等特性。具体数值如下: - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):-110V - 集电极-发射极饱和电压(VcEsat):-2.5V - 基极-发射极饱和电压(VBEsat):-3.0V - 集电极截止电流(ICBO):-100uA - 发射极截止电流(IEBO):-100uA - DC电流增益(hFE):5000 - 输出电容(Cob):110pF - 过渡频率(fT):100MHz

应用信息: - 适用于音频、调节器和一般用途。

封装信息: - 封装类型:TO-3PN - 封装图示和尺寸详见文档中的图2,未标注的公差为±0.1mm。
2SB1624 价格&库存

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