2SB509

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB509 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB509 DESCRIPTION ・With TO-66 package ・Complement to type 2SD315 APPLICATIONS ・For use in audio frequency power amplifier application PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -60 -60 -5 -4 -10 35 150 -40~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SB509 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA ;IB=0 -60 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2A; IB=-0.2A -1.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-1A ; VCE=-2V -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-20V; IE=0 -0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-4V; IC=0 -1.0 mA hFE-1 DC current gain IC=-1A ; VCE=-2V 40 320 hFE-2 DC current gain IC=-0.1A ; VCE=-2V 40 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-5V 8 MHz hFE-1 Classifications C 40-80 D 60-120 E 100-200 F 160-320 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB509 Fig.2 outline dimensions 3

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2SB509

1. 物料型号： - 型号：2SB509

2. 器件简介： - 2SB509是一款硅PNP功率晶体管，与2SD315型号互补，适用于音频频率功率放大器应用。

3. 引脚分配： - PIN 1：基极（Base） - PIN 2：发射极（Emitter） - PIN 3：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：-60V，开发射极 - VCEO（集电极-发射极电压）：-60V，开基极 - VEBO（发射极-基极电压）：-5V，开集电极 - Ic（集电极电流）：-4A - ICM（集电极峰值电流）：-10A - Pc（集电极功耗）：35W，Tc=25°C - Tj（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-40~150°C

5. 功能详解： - 特性参数（Tj=25℃，除非另有说明）： - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：IC=-10mA; IB=0，最小值-60V - VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：IC=-2A; IB=-0.2A，最小值-1.0V - VBE（基极-发射极导通电压）：IC=-1A; VCE=-2V，最小值-1.5V - ICBO（集电极截止电流）：VCB=-20V; IE=0，最小值-0.1mA - IEBO（发射极截止电流）：VEB=-4V; IC=0，最小值-1.0mA - hFE-1（直流电流增益）：IC=-1A; VCE=-2V，范围40-320 - hFE-2（直流电流增益）：IC=-0.1A; VCE=-2V，最小值40 - fT（过渡频率）：IC=-0.5A; VCE=-5V，8MHz

6. 应用信息： - 2SB509适用于音频频率功率放大器应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-66，具体尺寸见PDF中的图2。

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