2SB551

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB551 - isc Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2SB551 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= -1.2V(Typ.)@IC= -2A ·High Power Dissipation: PC= 25W(Max)@TC=55℃ APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -4 V IC Collector Current-Continuous Collector Power Dissipation @TC= 25℃ Junction Temperature -3 A PC 25 W TJ 150 ℃ Tstg Storage Temperature -45~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SB551 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -50mA; RBE= ∞ -50 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= -5mA; IE= 0 -50 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= -5mA; IC= 0 -4 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -2A; IB= -0.2A B 1.2 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -1A; VCE= -4V 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -20V; IE= 0 -0.1 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -1A; VCE= -4V 35 200 hFE-2 DC Current Gain IC= -0.1A; VCE= -4V 35 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.5A; VCE= -4V 15 MHz hFE-1 Classifications A 35-70 B 60-120 C 100-200 isc Website：www.iscsemi.cn

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2SB551

1. 物料型号：2SB551，这是ISC品牌的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 低集电极饱和电压：V_{CE(sat)}=-1.2V（典型值）@ I_{C}=-2A - 高功率耗散：P_{C}=25W（最大值）@ T_{C}=55°C

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: Emitter（发射极） - PIN 3: COLLECTOR（集电极，与外壳相连）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO：Collector-Base Voltage，-50V - VCEO：Collector-Emitter Voltage，-50V - VEBO：Emitter-Base Voltage，-4V - Ic：Collector Current-Continuous，-3A - Pc：Collector Power Dissipation @Tc=25°C，25W - TJ：Junction Temperature，150°C - Tstg：Storage Temperature，-45~150°C

5. 功能详解： - 设计用于低频功率放大应用。 - 电特性（Tj=25℃，除非另有说明）： - V(BR)CEO：Collector-Emitter Breakdown Voltage，IC=-50mA; RBE=∞，-50V - V(BR)CBO：Collector-Base Breakdown Voltage，IC=-5mA; IE=0，-50V - V(BR)EBO：Emitter-Base Breakdown Voltage，IE=-5mA; IC=0，-4V - VCE(sat)：Collector-Emitter Saturation Voltage，IC=-2A; IB=-0.2A，1.2V - VBE(on)：Base-Emitter On Voltage，IC=-1A; VCE=-4V，1.5V - ICBO：Collector Cutoff Current，VCB=-20V; IE=0，-0.1mA - hFE-1：DC Current Gain，IC=-1A; VCE=-4V，35-200 - hFE-2：DC Current Gain，IC=-0.1A; VCE=-4V，35 - fT：Current-Gain-Bandwidth Product，IC=-0.5A; VCE=-4V，15MHz

6. 应用信息：该器件适用于低频功率放大应用。

7. 封装信息：TO-66封装，具体尺寸参数如下： - A：31.40-31.80 - B：17.30-17.70 - C：6.70-7.10 - D：0.70-0.90 - E：1.40-1.60 - G：5.08 - H：2.54 - K：9.80-10.20 - L：14.70-14.90 - N：12.40-12.60 - O：3.60-3.80 - U：24.30-24.50 - V：3.50-3.70

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