1. 物料型号:2SB645,这是Inchange Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。
2. 器件简介:该器件是一个硅PNP功率晶体管,采用TO-3封装,具有高功率耗散能力,适用于电源开关和一般用途的应用。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)
- 2号引脚:发射极(Emitter)
- 3号引脚:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):-200V,开发射极
- 集电极-发射极电压(VCEO):-200V,开基极
- 发射极-基极电压(VEBO):-5V,开集电极
- 集电极电流(Ic):-15A
- 基极电流(Is):-5A
- 集电极功率耗散(Pc):150W,Tc=25°C
- 结温(Tj):150°C
- 存储温度(Tstg):-65~150°C
5. 功能详解:
- 该晶体管在Tj=25℃的条件下,具有以下特性:
- 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):-200V,Ic=-50mA;IB=0
- 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):-5V,Ic=-1mA;Ic=0
- 集电极-发射极饱和电压(VcEsat):-3.0V,Ic=-10A;IB=-1A
- 集电极截止电流(IcBO):-0.1mA,VcB=-200V;Ic=0
- 发射极截止电流(IEBO):-0.1mA,VEB=-6V;Ic=0
- 直流电流增益(hFE):40~140,Ic=-1A;VcE=-5V
- 过渡频率(fr):12MHz,Ic=-0.5A;VcE=-10V
6. 应用信息:适用于电源开关和一般用途的应用。
7. 封装信息:TO-3封装,具体尺寸如图2所示,未标明的公差为±0.1mm。