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2SB645

2SB645

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SB645 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB645 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB645 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・High power dissipation APPLICATIONS ・For power switching and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -200 -200 -5 -15 -5 150 150 -65~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB645 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA ;IB=0 -200 V V(BR)EBO VCEsat Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ;IC=0 IC=-10A; IB=-1A -5 V Collector-emitter saturation voltage -3.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-200V; IE=0 -0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-6V; IC=0 -0.1 mA hFE DC current gain IC=-1A ; VCE=-5V 40 140 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-10V 12 MHz hFE Classifications R 40-80 O 70-140 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB645 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2SB645
1. 物料型号:2SB645,这是Inchange Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介:该器件是一个硅PNP功率晶体管,采用TO-3封装,具有高功率耗散能力,适用于电源开关和一般用途的应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):-200V,开发射极 - 集电极-发射极电压(VCEO):-200V,开基极 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V,开集电极 - 集电极电流(Ic):-15A - 基极电流(Is):-5A - 集电极功率耗散(Pc):150W,Tc=25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-65~150°C

5. 功能详解: - 该晶体管在Tj=25℃的条件下,具有以下特性: - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):-200V,Ic=-50mA;IB=0 - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):-5V,Ic=-1mA;Ic=0 - 集电极-发射极饱和电压(VcEsat):-3.0V,Ic=-10A;IB=-1A - 集电极截止电流(IcBO):-0.1mA,VcB=-200V;Ic=0 - 发射极截止电流(IEBO):-0.1mA,VEB=-6V;Ic=0 - 直流电流增益(hFE):40~140,Ic=-1A;VcE=-5V - 过渡频率(fr):12MHz,Ic=-0.5A;VcE=-10V

6. 应用信息:适用于电源开关和一般用途的应用。

7. 封装信息:TO-3封装,具体尺寸如图2所示,未标明的公差为±0.1mm。
2SB645 价格&库存

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