2SB688

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB688 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SB688 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SB688 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -120V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SD718 APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier applications ·Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current-Continuous -8 A IB B Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature -0.8 A PC 80 W TJ 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SB688 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -50mA ; IB= 0 -120 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5.0A; IB= -0.5A B -2.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -5A ; VCE= -5V -1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -120V ; IE= 0 -10 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -10 μA hFE DC Current Gain IC= -1A ; VCE= -5V 55 160 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= -10V; ftest= 1.0MHz 280 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IC=-1A ; VCE= -5V 10 MHz hFE Classifications R 55-110 O 80-160 isc Website：www.iscsemi.cn 2 INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SB688 isc Website：www.iscsemi.cn

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2SB688

1. 物料型号：2SB688，由INCHANGE Semiconductor生产。

2. 器件简介：2SB688是一款硅PNP功率晶体管，具有以下特点： - 集电极-发射极击穿电压：V(BR)CEO = -120V（最小值） - 良好的hFE线性 - 与2SD718型号互补

3. 引脚分配：PIN 1.BASE，PIN 2.COLLECTOR，PIN 3.EMITTER，封装为TO-3PI。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压VCBO：-120V - 集电极-发射极电压VCEO：-120V - 发射极-基极电压VEBO：-5V - 集电极连续电流Ic：-8A - 基极连续电流IB：-0.8A - 集电极功率耗散Pc：80W（在Tc=25°C时） - 结温TJ：150°C - 存储温度范围Tstg：-55~150°C

5. 功能详解：2SB688适用于音频频率功率放大应用，特别推荐用于45-50W音频频率放大器输出阶段应用。

6. 应用信息：音频频率功率放大器应用。

7. 封装信息：TO-3PI封装，具体尺寸参数如下： - A: 19.90-20.10mm - B: 15.50-15.70mm - C: 4.40-4.60mm - D: 0.90-1.10mm - F: 3.20-3.40mm - H: 2.90-3.10mm - J: 0.50-0.70mm - K: 19.90-20.10mm - L: 1.90-2.10mm - N: 10.80-11.00mm - Q: 4.40-4.60mm - R: 3.30-3.35mm - S: 1.40-1.60mm - T: 1.00-1.20mm - U: 2.10-2.30mm - Z: 8.90-9.10mm

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型号：2SB688
品牌：SPTECH
封装：TO3PN
描述：硅PNP功率晶体管

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