2SB778

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB778 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SB778 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB778 DESCRIPTION ・With TO-3PML package ・Complement to type 2SD998 APPLICATIONS ・High power amplifier applications ・Recommended for 45~50W audio frequency amplifier output stage PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector MAX -120 -120 -5 -10 -1.0 80 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE fT COB PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=-50mA ;IB=0 IC=-5A ;IB=-0.5A IC=-5A;VCE=-5V VCB=-120V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-5V IE=0;f=1MHz;VCB=-10V 55 10 280 MIN -120 TYP. 2SB778 MAX UNIT V -2.5 -1.5 -10 -10 160 V V μA μA MHz pF hFE Classifications R 55-110 O 80-160 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB778 Fig.2 outline dimensions 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB778 4

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2SB778

1. 物料型号：2SB778

2. 器件简介： - 2SB778是一款硅PNP功率晶体管，采用TO-3PML封装，与2SD998型号互补。 - 适用于高功率放大应用，推荐用于45~50W音频频率放大器输出阶段。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电-基极电压（VCBO）：-120V - 集电-发射极电压（VCEO）：-120V - 发射-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（Ic）：-10A - 基极电流（Ib）：-1.0A - 集电极功率耗散（Pc）：80W - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 集电-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-120V（IC=-50mA; IB=0） - 集电-发射极饱和电压（VCEsat）：-2.5V（IC=-5A; IB=-0.5A） - 基-发射极导通电压（VBE）：-1.5V（IC=-5A; VCE=-5V） - 集电极截止电流（ICBO）：-10μA（VCB=-120V; IE=0） - 发射极截止电流（IEBO）：-10μA（VEB=-5V; IC=0） - 直流电流增益（hFE）：55~160（IC=-1A; VCE=-5V） - 过渡频率（fT）：10MHz（IC=-1A; VCE=-5V）

6. 应用信息： - 适用于高功率放大应用，特别推荐用于45~50W音频频率放大器输出阶段。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3PML，具体尺寸和外形图可以参考文档中的图2。

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