物料型号:
- 型号为2SB794和2SB795。
器件简介:
- 这些是硅PNP功率晶体管,具有达林顿高直流电流增益、低集电极饱和电压,并且是2SD985和2SD986型号的补充。
引脚分配:
- 引脚1:发射极(Emitter)
- 引脚2:集电极,连接到M安装底座(Collector;connected to M mounting base)
- 引脚3:基极(Base)
参数特性:
- 绝对最大额定值(Ta=25°C):
- VCBO(集电极-基极电压):2SB794为-60V,2SB795为-80V
- VCEO(集电极-发射极电压):2SB794为-60V,2SB795为-80V
- VEBO(发射极-基极电压):-8V
- Ic(集电极电流(DC)):-1.5A
- ICM(集电极峰值电流):-3.0A
- PD(总功率耗散):Ta=25°C时为1.0W,Tc=25°C时为10W
- Tj(结温):150°C
- Tstg(存储温度):-55~150°C
功能详解:
- 这些晶体管在25°C下的特性,除非另有说明:
- V(BR)CEO(集电极-发射极击穿电压):2SB794为-60V,2SB795为-80V
- VCEsat(集电极-发射极饱和电压):-1.5V
- VBEsat(基极-发射极饱和电压):-2.0V
- ICBO(集电极截止电流):2SB794为-1.0uA,2SB795为-2.0mA
- IEBO(发射极截止电流):-2.0mA
- hFE-1(直流电流增益):Ic=-0.5A; VcE=-2V时为1000
- hFE-2(直流电流增益):Ic=-1A; VcE=-2V时为2000至30000
应用信息:
- 用于无需前级驱动器的集成电路操作,例如锤击驱动器。
封装信息:
- 封装为TO-126。