2SB863

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB863 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB863 DESCRIPTION ・With TO-3P(I) package ・Complement to type 2SD1148 APPLICATIONS ・Power amplifier applications ・Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -140 -140 -5 -10 -1 100 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=-50mA; IB=0 IC=-5.0A ;IB=-0.5A IC=-5A ; VCE=-5V VCB=-140V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-5V IC=-5A ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-10V IC=0;f=1MHz ; VCB=-10V 55 25 15 400 MIN -140 -0.60 -0.96 TYP. 2SB863 MAX UNIT V -2.0 -1.5 -5.0 -5.0 160 V V μA μA MHz pF hFE-1 Classifications R 55-110 O 80-160 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB863 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: ±0.10 mm) 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB863 4

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2SB863

1. 物料型号：2SB863，是由Inchange Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistors。

2. 器件简介：这款器件采用TO-3P(I)封装，是2SD1148型号的补充，推荐用于70W高保真音频频率放大器的输出阶段。

3. 引脚分配： - 引脚1：Emitter（发射极） - 引脚2：Collector（集电极；连接到安装底座） - 引脚3：Base（基极）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-140V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-140V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（Ic）：-10A - 基极电流（Ib）：-1A - 集电极功率耗散（Pc）：100W - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：在IC=-50mA; IB=0条件下，最小值为-140V。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：在IC=-5.0A; IB=-0.5A条件下，范围为-0.60至-2.0V。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：在IC=-5A; VCE=-5V条件下，范围为-0.96至-1.5V。 - 集电极截止电流（ICBO）：在VCB=-140V; IE=0条件下，为-5.0μA。 - 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=-5V; IC=0条件下，为-5.0μA。 - 直流电流增益（hFE）：在IC=-1A; VCE=-5V条件下，范围为55至160；在IC=-5A; VCE=-5V条件下，为25。 - 过渡频率（fT）：在IC=-1A; VCE=-10V条件下，为15MHz。 - 集电极输出电容（COB）：在IC=0; f=1MHz; VCB=-10V条件下，为400pF。

6. 应用信息：适用于功率放大应用，特别推荐用于70W高保真音频频率放大器的输出阶段。

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