2SB896

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB896 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB896 2SB896A DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Low collector saturation voltage ·High speed switching APPLICATIONS ·For low voltage switching applications PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION · Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SB896 VCBO Collector-base voltage 2SB896A 2SB896 VCEO Collector-emitter voltage 2SB896A VEBO IC ICM PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base -40 -5 -10 -15 35 150 -50~150 V A A W ℃ ℃ Open emitter -50 -20 V CONDITIONS VALUE -40 V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SB896 IC=-10mA; IB=0 2SB896A VCEsat VBEsat Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 2SB896 2SB896A IEBO hFE-1 hFE-2 Cob fT Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency IC=-7A; IB=-0.23A IC=-7A; IB=-0.23A VCB=-40V; IE=0 CONDITIONS 2SB896 2SB896A MIN -20 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage V -40 -0.6 -1.5 V V ICBO Collector cut-off current -50 VCB=-50V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.1A ; VCE=-2V IC=-2A ; VCE=-2V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-10V 45 60 200 150 260 -50 μA μA pF MHz Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time IC=-2A ; IB1=-IB2=-66mA 0.1 0.5 0.1 μs μs μs hFE-2 Classifications R 60-120 Q 90-180 P 130-260 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB896 2SB896A Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3

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2SB896

物料型号： - 2SB896 - 2SB896A

器件简介： - 这些是硅PNP功率晶体管，具有TO-220C封装，低集电极饱和电压和高速开关特性。

引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter） - 2号引脚：集电极（Collector;connected to mounting base） - 3号引脚：基极（Base）

参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO：2SB896为-40V，2SB896A为-50V - VCEO：2SB896为-20V，2SB896A为-40V - VEBO：-5V - Ic：-10A - ICM：-15A - Pc：35W - TJ：150°C - Tstg：-50~150°C

功能详解： - 这些晶体管在Tj=25℃的标准条件下，具有以下特性： - V(BR)CEO：集电极-发射极击穿电压 - VcEsat：集电极-发射极饱和电压，Ic=-7A;IB=-0.23A时为-0.6V - VBEsat：基极-发射极饱和电压，Ic=-7A;IB=-0.23A时为-1.5V - IcBO：集电极截止电流，2SB896为-50A，2SB896A为VcB=-50V;lE=0时为-50A - IEBO：发射极截止电流，VEB=-5V;Ic=0时为-50uA - hFE-1：直流电流增益，Ic=-0.1A; VcE=-2V时为45 - hFE-2：直流电流增益，Ic=-2A;VcE=-2V时为60至260 - Cab：输出电容，le=0;VcB=-10V;f=1MHz时为200pF - fr：转换频率，Ic=-0.5A; VcE=-10V时为150MHz

应用信息： - 适用于低电压开关应用。

封装信息： - 提供了TO-220封装的外形图，具体尺寸未在文本中给出，但可通过链接查看：[Fig.2 Outline dimensions](https://p9-flow-imagex-sign.byteimg.com/ocean-cloud-tos/pdf/7759422b59a843c9dfa728b3400753b2_2_1200.jpg~tplv-a9rns2rl98-resize-crop:220:267:582:690:362:423.jpeg?rk3s=1567c5c4&x-expires=1768830559&x-signature=GgtkHcSeB1gwJIuNh66x0%2FNeUzQ%3D)。

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