2SB988

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB988 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB988 DESCRIPTION ・With TO-220C package ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For vertical output and general purpose applicaitons PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Base current Collector dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -60 -60 -7 -3 -0.5 30 150 -50~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-30mA; IB=0 IC=-3A; IB=-0.3A IC=-0.5A ; VCE=-5V VCB=-60V; IE=0 VEB=-7V; IC=0 IC=-0.5A ; VCE=-5V IC=-3A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-5V 60 20 150 9 MIN -60 TYP. 2SB988 MAX UNIT V -1.0 -1.0 -0.1 -0.1 200 V V mA mA pF MHz hFE-1 Classifications O 60-120 Y 100-200 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB988 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3

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2SB988

物料型号： - 型号：2SB988

器件简介： - 2SB988是一款硅PNP功率晶体管，具有TO-220C封装，低集电极饱和电压，适用于垂直输出和一般用途的应用。

引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：基极（Base）

参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-60V，开路发射极 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-60V，开路基极 - 发射极-基极电压（VEBO）：-7V，开路集电极 - 集电极电流（Ic）：-3A，直流 - 基极电流（IB）：-0.5A - 集电极耗散功率（Pc）：30W，Tc=25°C - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-50~150°C

功能详解： - 该晶体管在Tj=25℃的条件下，具有以下特性： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-60V，Ic=-30mA; IB=0 - 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-1.0V，Ic=-3A; IB=-0.3A - 基极-发射极导通电压（VBE）：-1.0V，Ic=-0.5A; VcE=-5V - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1mA，VcB=-60V; IE=0 - 发射极截止电流（IEBO）：-0.1mA，VEB=-7V; Ic=0 - 直流电流增益（hFE-1）：60~200，Ic=-0.5A; VcE=-5V - 直流电流增益（hFE-2）：20，Ic=-3A; VcE=-5V - 输出电容（COB）：150pF，Ic=0; VcB=-10V; f=1MHz - 转换频率（fr）：9MHz，Ic=-0.5A; VcE=-5V

应用信息： - 适用于垂直输出和一般用途的应用。

封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸图见PDF文档中的图2，未标明的公差为0.10mm。

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