2SB992

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB992 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SB992 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -80V(Min) ·Collector Power Dissipation: PC= 40W@ TC= 25℃ ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= -0.5V(Max)@ IC= -4A ·Complement to Type 2SD1362 APPLICATIONS ·High current switching applications. ·Power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @Ta=25℃ Collector Power Dissipation @TC=25℃ TJ Tstg Junction Temperature Storage Temperature VALUE -100 -80 -5 -7 -1 1.5 W 40 150 -55~150 ℃ ℃ UNIT V V V A A PC isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SB992 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -50mA; IB= 0 -80 V VCE(sat) VBE(sat) ICBO IEBO Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -4A; IB= -0.4A B -0.5 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= -4A; IB= -0.4A B -1.4 V μA μA Collector Cutoff Current VCB= -100V ; IE= 0 VEB= -5V; IC= 0 -5 Emitter Cutoff Current -5 hFE-1 DC Current Gain IC= -1A; VCE= -1V 70 240 hFE-2 DC Current Gain IC= -4A; VCE= -1V 30 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= -10V; ftest= 1MHz IC= -1A; VCE= -4V 250 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product 10 MHz Switching Times ton tstg tf Turn-on Time VCC= -30V, RL= 10Ω, IB1= -IB2= -0.3A, 0.4 μs μs μs Storage Time 2.5 Fall Time 0.5 hFE-1 Classifications O 70-140 Y 120-240 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SB992

1. 物料型号： - 型号：2SB992，是INCHANGE Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 2SB992具有以下特性： - 集电极-发射极击穿电压：最小-80V。 - 集电极功耗：在25°C时为40W。 - 低集电极饱和电压：最大-0.5V，当集电极电流为-4A时。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：集电极（COLLECTOR） - 引脚3：发射极（EMITTER） - 封装类型：TO-220C。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）： - 集电极-基极电压（VCBO）：-100V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-80V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极连续电流（Ic）：-7A - 基极连续电流（IB）：-1A - 集电极功耗（Pc）：1.5W（在25°C环境温度下）和40W（在25°C结温下） - 结温（TJ）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

5. 功能详解和应用信息： - 2SB992适用于高电流开关应用和功率放大器应用。

6. 封装信息： - 封装尺寸参数如下（单位：mm）： - A：15.70-15.90 - B：9.90-10.10 - C：4.20-4.40 - D：0.70-0.90 - F：3.40-3.60 - G：4.98-5.18 - H：2.70-2.90 - J：0.44-0.46 - K：13.20-13.40 - L：1.10-1.30 - Q：2.70-2.90 - R：2.50-2.70 - S：1.29-1.31 - U：6.45-6.65 - V：8.66-8.86

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