1. 物料型号:2SC1004,由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介:2SC1004是一种硅NPN功率晶体管,采用TO-3封装,具有高击穿电压。适用于彩色电视接收器的水平偏转输出阶段。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)
- 2号引脚:发射极(Emitter)
- 3号引脚:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):1100V(开路发射极)
- 集电极-发射极电压(VCEO):700V(开路基极)
- 发射极-基极电压(VEBO):5V(开路集电极)
- 集电极电流(Ic):0.5A
- 总功率耗散(PT):50W(Tc=25°C)
- 结温(TJ):150°C
- 存储温度(Tstg):-55~150°C
5. 功能详解:在25°C结温下,除非另有说明,以下是其特性:
- 维持电压VCEO(SUS):700V
- 发射极-基极击穿电压VBR)EBO:5V
- 饱和电压VcEsat:5.0V
- 基极-发射极饱和电压VBEsat:1.5V
- 集电极截止电流ICBO:10A
- 发射极截止电流IEBO:10A
- 直流电流增益hFE:30至160
- 转换频率fr:2.0MHz
6. 应用信息:适用于彩色电视接收器的水平偏转输出阶段。
7. 封装信息:TO-3封装,具体尺寸可参考图2的Outline dimensions。