0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
2SC1316

2SC1316

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC1316 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC1316 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1316 DESCRIPTION ·With TO-66 package ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Suitable for switching power supplies in TV sets PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 750 750 5 2 23 150 -55~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=10mA ;IB=0 IE=1mA ;IC=0 IC=1A ;IB=0.2A IC=1A ;IB=0.2A VCB=750V;IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=2A ; VCE=3V IC=0.5A ; VCE=10V 4 MIN 750 5 2SC1316 TYP. MAX UNIT V V 3.0 1.2 100 100 14 8.5 V V μA μA MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1316 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SC1316
1. 物料型号:2SC1316,硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介: - 封装为TO-66。 - 具有高击穿电压。 - 适用于电视机开关电源。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base)。 - 2号引脚:发射极(Emitter)。 - 3号引脚:集电极(Collector)。

4. 参数特性: - 集-基电压(VCBO):750V,开路发射极。 - 集-射电压(VCEO):750V,开路基极。 - 发-基电压(VEBO):5V,开路集电极。 - 集电极电流(Ic):2A。 - 集电极功耗(Pc):23W。 - 结温(T):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C。

5. 功能详解: - 集-射击穿电压(V(BR)CEO):750V,Ic=10mA;Ib=0。 - 发-基击穿电压(VBR)EBO):5V,Ic=1mA;Ic=0。 - 集-射饱和电压(VcEsat):3.0V,Ic=1A;Ib=0.2A。 - 发-基饱和电压(VBEsat):1.2V,Ic=1A;Ib=0.2A。 - 集电极截止电流(ICBO):100μA,Vas=750V;Ic=0。 - 发射极截止电流(IEBO):100μA,VEB=5V;Ic=0。 - 直流电流增益(hFE):4至14,Ic=2A;VcE=3V。 - 过渡频率(fT):8.5MHz,Ic=0.5A;VcE=10V。

6. 应用信息:适用于电视机开关电源。

7. 封装信息:TO-66封装,具体尺寸图见文档中的图2。
2SC1316 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“2SC1316”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货