2SC1431

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC1431 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1431 DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For use in high frequency power amplifier applications. PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PD Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 110 110 5 2 23 150 -55~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)EBO VCEsat VBE sat ICBO IEBO hFE fT PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=50mA ;IB=0 IE=1mA ;IC=0 IC=1A; IB=0.1A IC=1A; IB=0.1A VCB=110V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.4A ; VCE=2V IC=0.4A ; VCE=10V 50 30 MIN 110 5 2SC1431 TYP. MAX UNIT V V 1.0 1.2 10 10 240 V V μA μA MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1431 Fig.2 outline dimensions 3

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2SC1431

1. 物料型号：2SC1431，由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介：2SC1431是一款带有TO-66封装的硅NPN功率晶体管，具有出色的安全工作区，适用于高频功率放大器应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - VcBO（集电极-基极电压）：110V，开发射极 - VCEO（集电极-发射极电压）：110V，开基极 - VEBO（发射极-基极电压）：5V，开集电极 - Ic（集电极电流）：2A - Po（总功率耗散）：23W，Tc=25°C - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-55~150°C

5. 功能详解： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：110V，Ic=50mA;IB=0 - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：5V，Ic=1mA;Ic=0 - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：1.0V，Ic=1A;IB=0.1A - VBE sat（基极-发射极饱和电压）：1.2V，Ic=1A;IB=0.1A - ICBO（集电极截止电流）：10uA，VcB=110V;IE=0 - IEBO（发射极截止电流）：10A，VEB=5V;Ic=0 - hFE（直流电流增益）：50至240，Ic=0.4A;VcE=2V - fT（过渡频率）：30MHz，Ic=0.4A;VcE=10V

6. 应用信息：适用于高频功率放大器应用。

7. 封装信息：TO-66封装，具体尺寸见图2。

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