1. 物料型号:2SC1431,由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介:2SC1431是一款带有TO-66封装的硅NPN功率晶体管,具有出色的安全工作区,适用于高频功率放大器应用。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)
- 2号引脚:发射极(Emitter)
- 3号引脚:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- VcBO(集电极-基极电压):110V,开发射极
- VCEO(集电极-发射极电压):110V,开基极
- VEBO(发射极-基极电压):5V,开集电极
- Ic(集电极电流):2A
- Po(总功率耗散):23W,Tc=25°C
- Tj(结温):150°C
- Tstg(存储温度):-55~150°C
5. 功能详解:
- VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):110V,Ic=50mA;IB=0
- V(BR)EBO(发射极-基极击穿电压):5V,Ic=1mA;Ic=0
- VcEsat(集电极-发射极饱和电压):1.0V,Ic=1A;IB=0.1A
- VBE sat(基极-发射极饱和电压):1.2V,Ic=1A;IB=0.1A
- ICBO(集电极截止电流):10uA,VcB=110V;IE=0
- IEBO(发射极截止电流):10A,VEB=5V;Ic=0
- hFE(直流电流增益):50至240,Ic=0.4A;VcE=2V
- fT(过渡频率):30MHz,Ic=0.4A;VcE=10V
6. 应用信息:适用于高频功率放大器应用。
7. 封装信息:TO-66封装,具体尺寸见图2。