1. 物料型号:2SC1454,这是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管的型号。
2. 器件简介:
- 该晶体管采用TO-3封装。
- 具有高击穿电压:VCEO=250V(最小值)。
- 适用于低频功率放大应用。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)
- 2号引脚:发射极(Emitter)
- 3号引脚:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 集电-基极电压(VCBO):300V(开发射极)
- 集电-发射极电压(VCEO):250V(开基极)
- 发射-基极电压(VEBO):7V(开集电极)
- 集电极电流(Ic):4A
- 集电极功耗(Pc):50W(Tc=25°C)
- 结温(Tj):150°C
- 存储温度(Tstg):-55~150°C
5. 功能详解:
- 集电-发射极击穿电压(V(BR)CEO):在Ic=25mA且Ib=0时,最小值为250V。
- 集电-发射极饱和电压(VcEsat):在Ic=3A且Ib=0.3A时,最大值为1.0V。
- 基-发射极饱和电压(VBEsat):在Ic=3A且Ib=0.3A时,最大值为1.5V。
- 集电极截止电流(IcBO):在Vc=300V且Ie=0时,最大值为0.1mA。
- 发射极截止电流(IEBO):在Veb=7V且Ic=0时,最大值为0.1mA。
- 直流电流增益(hFE):在Ic=1A且VcE=5V时,最小值为20。
- 过渡频率(fr):在Ic=0.5A且VcE=12V时,最大值为10MHz。
6. 应用信息:适用于低频功率放大应用。
7. 封装信息:TO-3封装,具体尺寸图见文档中的Fig.2。