1. 物料型号：2SC1454，这是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管的型号。
2. 器件简介：
- 该晶体管采用TO-3封装。
- 具有高击穿电压：VCEO=250V（最小值）。
- 适用于低频功率放大应用。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：发射极（Emitter）
- 3号引脚：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 集电-基极电压（VCBO）：300V（开发射极）
- 集电-发射极电压（VCEO）：250V（开基极）
- 发射-基极电压（VEBO）：7V（开集电极）
- 集电极电流（Ic）：4A
- 集电极功耗（Pc）：50W（Tc=25°C）
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C
5. 功能详解：
- 集电-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：在Ic=25mA且Ib=0时，最小值为250V。
- 集电-发射极饱和电压（VcEsat）：在Ic=3A且Ib=0.3A时，最大值为1.0V。
- 基-发射极饱和电压（VBEsat）：在Ic=3A且Ib=0.3A时，最大值为1.5V。
- 集电极截止电流（IcBO）：在Vc=300V且Ie=0时，最大值为0.1mA。
- 发射极截止电流（IEBO）：在Veb=7V且Ic=0时，最大值为0.1mA。
- 直流电流增益（hFE）：在Ic=1A且VcE=5V时，最小值为20。
- 过渡频率（fr）：在Ic=0.5A且VcE=12V时，最大值为10MHz。
6. 应用信息：适用于低频功率放大应用。
7. 封装信息：TO-3封装，具体尺寸图见文档中的Fig.2。
