1. 物料型号：2SC1469，这是一个NPN型功率晶体管。
2. 器件简介：该器件是一个采用TO-3封装的NPN硅功率晶体管，具有高击穿电压，适用于高电压、快速开关的应用场景。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：发射极（Emitter）
- 3号引脚：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：500V，开发射极条件下。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：400V，开基极条件下。
- 发射极-基极电压（VEBO）：7V，开集电极条件下。
- 集电极电流（Ic）：10A。
- 基极电流（Is）：4A。
- 总功率耗散（Pt）：100W，结温不超过25°C时。
- 结温（Tj）：200°C。
- 存储温度（Tstg）：-65°C至200°C。
5. 功能详解：
- 该晶体管在Tj=25°C的标准下，具有以下特性：
- 维持电压（VCEO(SUS)）：400V，集电极电流为100mA，基极电流为0时。
- 饱和电压（VEsat）：1.0V，集电极电流为5A，基极电流为1A时。
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：2.0V，集电极电流为5A，基极电流为1A时。
- 集电极截止电流（ICBO）：0.1mA，集电极-基极电压为500V，发射极电流为0时。
- 集电极截止电流（ICEO）：0.1mA，集电极-发射极电压为400V，基极电流为0时。
- 发射极截止电流（IEBO）：0.1mA，发射极-基极电压为7V，集电极电流为0时。
- 直流电流增益（hFE-1）：15至50，集电极电流为1A，集电极-发射极电压为5V时。
- 直流电流增益（hFE-2）：8，集电极电流为5A，集电极-发射极电压为5V时。
- 转换频率（fr）：10MHz，集电极电流为1A，集电极-发射极电压为5V时。
6. 应用信息：适用于高电压、快速开关的应用。
7. 封装信息：TO-3封装，具体尺寸见图2。
