2SC1586

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC1586 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1586 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipation ·High current capability APPLICATIONS ·For audio power amplifier and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 250 200 6 15 4 150 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SC1586 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=25mA ;IB=0 200 V V(BR)EBO VCEsat Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ;IC=0 IC=5A; IB=0.5A 6 V Collector-emitter saturation voltage 2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=250V; IE=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 0.1 mA hFE DC current gain IC=5A ; VCE=4V 60 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=12V 10 MHz COB Collector output capacitance IE=0 ; VCB= 10V; f=1MHz 110 pF 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1586 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SC1586

1. 物料型号：2SC1586，由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介： - 采用TO-3封装。 - 具有高功率耗散和高电流能力。 - 适用于音频功率放大器和一般用途应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 集-基极电压（VCBO）：250V，开发射极。 - 集-发射极电压（VCEO）：200V，开基极。 - 发-基极电压（VEBO）：6V，开集电极。 - 集电极电流（Ic）：15A。 - 基极电流（IB）：4A。 - 集电极功率耗散（Pc）：150W，Tc=25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55至150°C。

5. 功能详解： - 集-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：200V，Ic=25mA;IB=0。 - 发-基极击穿电压（VBR)EBO）：6V，Ic=1mA;Ic=0。 - 集-发射极饱和电压（VcEsat）：2.0V，Ic=5A;IB=0.5A。 - 集电极截止电流（ICBO）：0.1mA，VcB=250V;I=0。 - 发射极截止电流（IEBO）：0.1mA，VEB=6V;Ic=0。 - 直流电流增益（hFE）：60，Ic=5A;VcE=4V。 - 过渡频率（fr）：10MHz，Ic=1A;VcE=12V。 - 集电极输出电容（COB）：110pF，Ic=0;VcB=10V;f=1MHz。

6. 应用信息：适用于音频功率放大器和一般用途应用。

7. 封装信息：TO-3封装，具体尺寸如图2所示，未标明的公差为±0.1mm。

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