2SC1624

2SC1624

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC1624 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SC1624 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1624 2SC1625 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA814/815 ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Medium power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SC1624 VCBO Collector-base voltage 2SC1625 2SC1624 VCEO Collector-emitter voltage 2SC1625 VEBO IC IE PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Emitter current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base 100 5 1 -1 15 150 -55~150 V A A W ℃ ℃ Open emitter 100 120 V CONDITIONS VALUE 120 V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SC1624 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SC1625 V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency IE=1mA ;IC=0 IC=500mA; IB=50m A IC=500mA ; VCE=5V VCB=50V;IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=150mA ; VCE=5V IC=500mA ; VCE=5V IE=0; VCB=10V;f=1MHz IC=150mA ; VCE=5V IC=10mA; IB=0 CONDITIONS 2SC1624 2SC1625 MIN 120 TYP. MAX UNIT V 100 5 0.5 1.0 1.0 1.0 70 40 20 30 pF MHz 240 V V V μA μA hFE-1 Classifications O 70-140 Y 120-240 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1624 2SC1625 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SC1624
1. 物料型号: - 型号为2SC1624和2SC1625,是硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管采用TO-220封装,是2SA814/815的补充型号,具有高击穿电压,适用于中功率放大应用和驱动级放大应用。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极,连接到安装底座(Collector;connected to mounting base) - 引脚3:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 2SC1624和2SC1625的集-基电压(VCBO)分别为120V和100V。 - 集-射电压(VCEO)同样分别为120V和100V。 - 发-基电压(VEBO)为5V。 - 集电极电流(Ic)为1A,发射极电流(IE)为-1A。 - 集电极功耗(Pc)在25°C时为15W。 - 结温(Tj)最高150°C。 - 存储温度(Tstg)范围为-55°C至150°C。

5. 功能详解应用信息: - 这些晶体管在25°C下的特性包括: - 集-射击穿电压(V(BR)CEO)2SC1624为120V,2SC1625为100V。 - 发-基击穿电压(V(BR)EBO)为5V。 - 集-射饱和电压(VcEsat)为0.5V。 - 基-发射开启电压(VBE)在Ic=500mA,VcE=5V时为1.0V。 - 集电极截止电流(ICBO)和发射极截止电流(IEBO)在特定条件下为1.0A。 - DC电流增益(hFE)有两个范围,hFE-1为70-140,hFE-2为40-240。 - 输出电容(COB)为20pF。 - 转换频率(fT)为30MHz。

6. 封装信息: - 提供了TO-220C的简化外形图和符号,以及外形尺寸图,未标明的公差为0.10mm。
2SC1624 价格&库存

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