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2SC1868

2SC1868

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC1868 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC1868 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1868 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Wide area of safe operation ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·For switching regulator application PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 450 400 7 7 80 150 -55~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SC1868 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA ;IB=0 400 V V(BR)CBO V(BR)EBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA ;IE=0 IE=1mA ;IC=0 450 V Emitter-base breakdown voltage 7 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4A; IB=0.8A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4A; IB=0.8A 1.5 V μA μA ICBO Collector cut-off current VCB=450V; IE=0 100 IEBO Emitter cut-off current VEB=7V; IC=0 100 hFE-1 hFE-2 DC current gain IC=1A ; VCE=5V IC=5A ; VCE=5V 15 50 DC current gain 10 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1868 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2SC1868
物料型号: - 型号:2SC1868 - 制造商:Inchange Semiconductor

器件简介: - 2SC1868是一款硅NPN功率晶体管,具有TO-3封装。 - 特点包括广泛的安全工作区域、高电压和高速特性。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:发射极(Emitter) - 引脚3:集电极(Collector)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):450V,开发射极 - 集-射电压(VCEO):400V,开基极 - 发-基电压(VEBO):7V,开集电极 - 集电极电流(Ic):7A - 集电极功耗(Pc):80W,结温25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55至150°C

功能详解: - 2SC1868适用于开关稳压器应用。 - 在25°C结温下,其主要特性参数包括: - 集-射击穿电压(V(BR)CEO):400V - 集-基击穿电压(V(BR)CBO):450V - 发-基击穿电压(V(BR)EBO):7V - 集-射饱和电压(VcEsat):1.0V(Ic=4A, Ia=0.8A) - 发-基饱和电压(VBEsat):1.5V(Ic=4A, Ia=0.8A) - 集电极截止电流(ICBO):100A(VcB=450V, I=0) - 发射极截止电流(IEBO):100μA(VEB=7V, Ic=0) - 直流电流增益(hFE-1):15至50(Ic=1A, VcE=5V) - 直流电流增益(hFE-2):10(Ic=5A, VcE=5V)

应用信息: - 2SC1868适用于开关稳压器应用。

封装信息: - 封装类型:TO-3 - 外形尺寸图已提供,未标明的公差为±0.1mm。
2SC1868 价格&库存

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