1. 物料型号：2SC1969，这是INCHANGE Semiconductor生产的NPN型功率晶体管。
2. 器件简介：
- 高功率增益：Gpe≥12dB，f=27MHz，PO=16W
- 高可靠性
- 适用于10~14瓦输出功率的AB类放大器应用，在HF频段
3. 引脚分配：
- PIN 1: BASE（基极）
- PIN 2: COLLECTOR（集电极）
- PIN 3: EMITTER（发射极）
- 封装类型：TO-220AE
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：60V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：25V（RBE=∞）
- 发射极-基极电压（VEBO）：5V
- 集电极电流（IC）：6A
- 集电极功率耗散@TC=25℃：20W
- 结温（Tj）：150℃
- 存储温度范围（Tstg）：-55~150℃
5. 功能详解：
- 该晶体管设计用于高功率增益和高可靠性的应用，特别是在HF频段的AB类放大器中。
- 提供了详细的电气特性表，包括击穿电压、截止电流、直流电流增益等参数。
6. 应用信息：
- 设计用于10~14瓦输出功率的AB类放大器应用，在HF频段。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-220AE，具体尺寸参数如下：
- A: 14.48~15.75mm
- B: 9.66~10.28mm
- C: 4.07~4.82mm
- D: 0.64~3.61mm
- F: 0.88~3.73mm
- G: 2.42~2.66mm
- H: 2.80~3.93mm
- K: 12.70~14.27mm
- N: 4.83~5.33mm
- Q: 2.54~3.04mm
- R: 2.04~2.79mm
- S: 1.15~1.39mm
- T: 5.97~6.47mm
- U: 1.15~2.04mm
