2SC1985

2SC1985

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC1985 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SC1985 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1985 2SC1986 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA770/771 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For general and industrial purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SC1985 VCBO Collector-base voltage 2SC1986 2SC1985 VCEO Collector-emitter voltage 2SC1986 VEBO IC IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base 80 6 6 3 40 150 -55~150 V A A W ℃ ℃ Open emitter 100 60 V CONDITIONS VALUE 80 V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SC1985 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SC1986 VCEsat Collector-emitter saturation voltage 2SC1985 ICBO Collector cut-off current 2SC1986 IEBO hFE fT Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency VCB=100V; IE=0 VEB=6V; IC=0 IC=1A ; VCE=4V IC=0.5A ; VCE=12V IC=3A; IB=0.3A VCB=80V; IE=0 IC=25mA ,IB=0 CONDITIONS 2SC1985 2SC1986 MIN 60 TYP. MAX UNIT V 80 1.0 V 1.0 mA 1.0 40 10 mA MHz Switching times tr tstg tf Rise time Storage time Fall time IC=3A ; VCC=9V IB1=-IB2=0.3A;RL=3Ω 1.1 1.8 0.55 μs μs μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC1985 2SC1986 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SC1985
物料型号: - 型号为2SC1985和2SC1986。

器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-220封装,是2SA770/771型号的补充,具有低集电极饱和电压。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector;connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):2SC1985为80V,2SC1986为100V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):2SC1985为60V,2SC1986为80V。 - 发射极-基极电压(VEBO):开集电极时为6V。 - 集电极电流(Ic):6A。 - 基极电流(lB):3A。 - 集电极功耗(Pc):在25°C时为40W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55至150°C。

功能详解: - 包括击穿电压(V(BR)CEO)、饱和电压(VCEsat)、截止电流(ICBO、IEBO)、直流电流增益(hFE)和转换频率(fT)等参数。

应用信息: - 适用于一般和工业用途的应用。

封装信息: - 提供了TO-220C的简化外形图和符号,以及未标明公差的尺寸图。
2SC1985 价格&库存

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