1. 物料型号:
- 型号为2SC2073,是由INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistor。
2. 器件简介:
- 2SC2073具有Collector-Emitter Breakdown Voltage(V(BR)CEO)至少为150V,并且有较宽的安全操作区域。该型号与2SA940型号互补,通常用于功率放大和垂直输出应用。
3. 引脚分配:
- PIN1:基极(BASE)
- PIN2:集电极(COLLECTOR)
- PIN3:发射极(EMITTER)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值(在25°C环境温度下):
- 集电极-基极电压(VcBO):150V
- 集电极-发射极电压(VCEO):150V
- 发射极-基极电压(VEBO):5V
- 集电极电流(Ic):连续1.5A
- 基极电流(IB):连续0.5A
- 集电极功耗(Pc):在25°C时为1.5W,最大25W
- 结温(TJ):150°C
- 存储温度范围(Tstg):-55°C至150°C
5. 功能详解和应用信息:
- 2SC2073适用于功率放大应用和垂直输出应用。
6. 封装信息:
- 封装类型为TO-220C,具体的封装尺寸参数如下:
- A:15.70mm至15.90mm
- B:9.90mm至10.10mm
- C:4.20mm至4.40mm
- D:0.70mm至0.90mm
- F:3.40mm至3.60mm
- G:4.98mm至5.18mm
- H:2.70mm至2.90mm
- J:0.44mm至0.46mm
- K:13.20mm至13.40mm
- L:1.10mm至1.30mm
- Q:2.70mm至2.90mm
- R:2.50mm至2.70mm
- S:1.29mm至1.31mm
- U:6.45mm至6.65mm
- V:8.66mm至8.86mm