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2SC2075

2SC2075

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC2075 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC2075 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2075 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·High transition frequency ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·27MHz power amplifier applications ·Recommended for output stage application of AM 4W transmitter PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IE PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Emitter current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 80 80 4 4 -4 10 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SC2075 MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=3A; IB=0.3 A 1.5 V V(BR)CEO V(BR)EBO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA; IB=0 IE=1.0mA; IC=0 80 V Emitter-base breakdown voltage 4 V μA μA ICBO Collector cut-off current VCB=30V;IE=0 10 IEBO Emitter cut-off current VEB=4V; IC=0 10 hFE-1 DC current gain IC=0.5A ; VCE=5V 25 hFE-2 DC current gain IC=3A ; VCE=2V 15 COB fT Output capacitance IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=0.5A ; VCE=5V 40 pF Transition frequency 100 MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC2075 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SC2075
物料型号: - 型号:2SC2075

器件简介: - 2SC2075是一款硅NPN功率晶体管,具有TO-220封装,高转换频率和广泛的安全操作区域。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector),连接到安装底座 - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):80V,开路发射极 - 集电极-发射极电压(VCEO):80V,开路基极 - 发射极-基极电压(VEBO):4V,开路集电极 - 集电极电流(Ic):4A - 发射极电流(IE):-4A - 集电极功率耗散(Pc):10W,Tc=25°C - 结温(T):150°C - 存储温度(Tstg):-55~150°C

功能详解: - 2SC2075的主要特性包括集电极-发射极饱和电压(VcEsat)、集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)、发射极-基极击穿电压(VBR)EBO)、集电极截止电流(IcBO)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE-1和hFE-2)以及输出电容(CoB)和转换频率(fr)。

应用信息: - 2SC2075适用于27MHz功率放大器应用,推荐用于AM 4W发射器的输出级应用。

封装信息: - 封装类型:TO-220,具体尺寸见图2,未标明的公差为0.10mm。
2SC2075 价格&库存

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