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2SC2233

2SC2233

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

    -

  • 描述:

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC2233 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2233 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage:VCEO= 60V(Min) ·DC Current Gain: hFE= 30(Min)@ (VCE= 5V, IC= 1A) ·High Collector Current ·High Collector Power Dissipation APPLICATIONS ·TV Horizontal Deflection Output Application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ VALUE 200 60 5 4 10 1 1.5 UNIT V V V A A A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ TJ Tstg Junction Temperature Storage Temperature Range 40 150 -55~150 W ℃ ℃ isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SC2233 TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB=0.4A B 1.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB=0.4A B 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 170V ; IE= 0 10 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 10 μA hFE -1 DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 5V 30 150 hFE -2 DC Current Gain IC= 4A ; VCE= 5V 20 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 500mA; VCE= 5V 8 MHz isc Website:www.iscsemi.cn 2
2SC2233
1. 物料型号: - 型号为2SC2233。

2. 器件简介: - 2SC2233是一款硅NPN功率晶体管,具有高集电极电流和高集电极功耗特性。

3. 引脚分配: - PIN 1:基极(BASE) - PIN 2:集电极(COLLECTOR) - PIN 3:发射极(EMITTER)

4. 参数特性: - 集电极-发射极击穿电压(VCEO):60V(最小值) - 直流电流增益(hFE):最小值30(在VCE=5V,IC=1A时) - 绝对最大额定值包括:集电极-基极电压(VCBO)200V,集电极电流连续(Ic)4A,集电极功耗在Ta=25°C时1.5W,在Tc=25°C时40W等。

5. 功能详解: - 该晶体管适用于电视水平偏转输出应用。

6. 应用信息: - 主要应用于电视水平偏转输出。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-220C,具体尺寸参数如下: - A: 15.70mm - 15.90mm - B: 9.90mm - 10.10mm - C: 4.20mm - 4.40mm - ...(其他尺寸参数依此类推)
2SC2233 价格&库存

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