1. 物料型号：2SC2239，是一款由INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistor。
2. 器件简介：
- 器件具有Collector-Emitter Breakdown Voltage（V(BR)CEO）最小值为160V。
- 具有良好的hFE（直流电流增益）线性特性。
3. 引脚分配：
- PIN 1: BASE（基极）
- PIN 2: EMITTER（发射极）
- PIN 3: COLLECTOR（集电极，带外壳）
4. 参数特性：
- 工作电压范围：Collector-Base Voltage（VCBO）和Collector-Emitter Voltage（VCEO）均为160V，Emitter-Base Voltage（VEBO）为5V。
- 连续电流：Collector Current（IC）和Emitter Current（IE）均为1.5A。
- 总功率耗散在25℃时为25W，结温TJ为150℃，存储温度范围为-55℃至150℃。
5. 功能详解：
- 器件适用于功率放大应用和驱动级放大应用。
6. 应用信息：
- 适用于功率放大器应用和驱动阶段放大器应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-66，具体尺寸信息如下：
- 最小尺寸：31.40mm x 17.30mm
- 最大尺寸：31.80mm x 17.70mm
- 引脚间距：6.70mm至7.10mm
- 其他尺寸：D 0.70mm至0.90mm，1.40mm至5.08mm，1.60mm，14.70mm至9.80mm，2.54mm至10.20mm，14.90mm，12.40mm至3.60mm，12.60mm至3.80mm，24.30mm至24.50mm，3.50mm至3.70mm。
