1. 物料型号：
- 型号为2SC2262，是一款由INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 该器件设计用于一般用途的应用，具有高功率耗散能力，最大功耗为80W（在25°C时），集电极-发射极击穿电压至少为140V，是2SA982型号的补充。
3. 引脚分配：
- PIN 1: 基极（BASE）
- PIN 2: 发射极（EMITTER）
- PIN 3: 集电极（CASE）- TO-3封装
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：200V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：140V
- 发射极-基极电压（VEBO）：6V
- 集电极连续电流（Ic）：8A
- 基极连续电流（IB）：3A
- 集电极功耗耗散（Pc）：80W（在25°C时）
- 结温（TJ）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-65°C至150°C
5. 功能详解和应用信息：
- 该晶体管具有特定的电气特性，包括集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、电流增益-带宽积等。这些特性使其适用于需要高功率和高电压的电路设计中。
6. 封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体的封装尺寸参数如下：
- A: 39.00mm
- B: 25.30mm至26.67mm
- C: 7.80mm至8.30mm
- D: 0.90mm至1.10mm
- E: 1.40mm至1.60mm
- G: 10.92mm
- H: 5.46mm
- K: 11.40mm至13.50mm
- L: 16.75mm至17.05mm
- N: 19.40mm至19.62mm
- Q: 4.00mm至4.20mm
- U: 30.00mm至30.20mm
- V: 4.30mm至4.50mm
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