2SC2336

2SC2336

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC2336 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SC2336 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2336 2SC2336A 2SC2336B DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Complement to type 2SA1006, 2SA1006A,2SA1006B APPLICATIONS ・Audio frequency power amplifier ・High frequency power amplifier PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SC2336 VCBO Collector-base voltage 2SC2336A 2SC2336B 2SC2336 VCEO Collector-emitter voltage 2SC2336A 2SC2336B VEBO IC ICM PT Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25℃ Total power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 25 150 -55~150 ℃ ℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 180 200 250 180 200 250 5 1.5 3.0 1.5 W V A A V V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 Cob fT PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency 2SC2336 2SC2336A 2SC2336B CONDITIONS IC=0.5A; IB=50mA IC=0.5A ;IB=50mA VCB=150V; IE=0 VEB=3V; IC=0 IC=5mA ; VCE=5V IC=150mA ; VCE=5V IE=0 ; VCB=10V,f=1MHz IC=100mA ; VCE=10V MIN TYP. MAX 1.0 1.5 1 1 UNIT V V μA μA 30 60 30 95 320 pF MHz hFE-2 Classifications R 60-120 Q 100-200 P 160-320 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC2336 2SC2336A 2SC2336B Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2336 2SC2336A 2SC2336B 4 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2336 2SC2336A 2SC2336B 5
2SC2336
物料型号: - 2SC2336 - 2SC2336A - 2SC2336B

器件简介: 这些是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管,采用TO-220封装,与2SA1006、2SA1006A、2SA1006B型号相匹配。适用于音频频率功率放大器和高频功率放大器。

引脚分配: | PIN | 描述 | | --- | --- | | 1 | 基极(Base) | | 2 | 集电极;连接到安装底(Collector;connected to mounting base) | | 3 | 发射极(Emitter) |

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):2SC2336为180V,2SC2336A为200V,2SC2336B为250V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):2SC2336为180V,2SC2336A为200V,2SC2336B为250V。 - 发射极-基极电压(VEBO):5V。 - 集电极电流(Ic):1.5A。 - 集电极峰值电流(IcM):3.0A。 - 总功率耗散(PT):1.5W(Ta=25°C),25W(Tc=25°C)。 - 结温(T):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55~150°C。

功能详解: - 饱和电压(VcEsat):Ic=0.5A; IB=50mA时,最大值为1.0V。 - 基极-发射极饱和电压(VBEsat):Ic=0.5A; IB=50mA时,最大值为1.5V。 - 集电极截止电流(ICBO):VcB=150V; Ie=0时,最大值为1A。 - 发射极截止电流(IEBO):VEB=3V; Ic=0时,最大值为1A。 - 直流电流增益(hFE-1):Ic=5mA; VcE=5V时,最小值为30。 - 直流电流增益(hFE-2):Ic=150mA; VcE=5V时,最小值为60,最大值为320。 - 集电极截止电容(Cob):le=0; VcB=10V, f=1MHz时,最小值为30pF。 - 转换频率(fr):Ic=100mA; VcE=10V时,为95MHz。

应用信息: 适用于音频频率功率放大器和高频功率放大器。

封装信息: PDF文档中提供了TO-220封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图。未标注的公差为±0.10mm。
2SC2336 价格&库存

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