2SC2582

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC2582 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2582 DESCRIPTION ・With TO-126 package ・Large collector power dissipation ・High transition frequency APPLICATIONS ・Audio frequency power amplifier PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector- emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 10 150 -55～+150 ℃ ℃ Open collector CONDITIONS VALUE 45 35 5 1 1.5 1.2 W UNIT V V V A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SC2582 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=2mA ;IB=0 35 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA ;IE=0 45 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=500mA ;IB=50mA 0.5 V ICEO Collector cut-off current VCE=20V; IB=0 100 μA ICBO Collector cut-off current VCB=20V; IE=0 0.1 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 10 μA hFE-1 DC current gain IC=500mA ; VCE=10V 85 340 hFE-2 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 50 COB Output capacitance IE=0; VCB=10V;f=1MHz 20 pF fT Transition frequency IC=50mA ; VCE=10V 200 MHz hFE-1 Classifications Q 85-170 R 120-240 S 170-340 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC2582 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SC2582

1. 物料型号：2SC2582，由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介：该器件采用TO-126封装，具有较大的集电极功耗和高转换频率，适用于音频频率功率放大器。

3. 引脚分配： - PIN 1：Emitter（发射极） - PIN 2：Collector（集电极；连接到安装底座） - PIN 3：Base（基极）

4. 参数特性： - VcBO（集电极-基极电压）：45V - VCEO（集电极-发射极电压）：35V - VEBO（发射极-基极电压，开路集电极）：5V - Ic（集电极电流）：1A - IcM（最大集电极电流）：1.5A - Pc（集电极功耗，Ta=25°C）：1.2W - Tc=25°C时：10W - TJ（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-55~+150°C

5. 功能详解： - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：在Ic=2mA; Ib=0条件下，最小值为35V。 - V(BR)CBO（集电极-基极击穿电压）：在Ic=1mA; Ib=0条件下，最小值为45V。 - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=500mA; Ib=50mA条件下，最大值为0.5V。 - ICEO（集电极截止电流）：在VcE=20V; Ib=0条件下，最大值为100A。 - ICBO（集电极截止电流）：在VcB=20V; IE=0条件下，最大值为0.1μA。 - IEBO（发射极截止电流）：在VEB=5V; Ic=0条件下，最大值为10μA。 - hFE-1（直流电流增益）：在Ic=500mA; VcE=10V条件下，范围为85-340。 - hFE-2（直流电流增益）：在Ic=1A; VcE=5V条件下，范围为50-（无具体值）。 - COB（输出电容）：在Ic=0; VcB=10V; f=1MHz条件下，最大值为20pF。 - fr（转换频率）：在Ic=50mA; VcE=10V条件下，最大值为200MHz。

6. 应用信息：适用于音频频率功率放大器。

7. 封装信息：TO-126封装，具体尺寸和外形图见PDF文档中的图2。

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