2SC2682

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC2682 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2682 DESCRIPTION ・With TO-126 package ・Complement to type 2SA1142 APPLICATIONS ・Audio frequency power amplifier; high frequency power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 10 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 180 180 5 0.1 1.2 W UNIT V V V A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SC2682 TYP. MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=50mA; IB=5mA 0.12 0.5 V VBEsat ICBO Base-emitter saturation voltage IC=50mA; IB=5mA VCB=180V; IE=0 0.8 1.5 V μA μA Collector cut-off current 1 IEBO Emitter cut-off current VEB=3V; IC=0 1 hFE-1 DC current gain IC=1mA ; VCE=5V 90 190 hFE-2 DC current gain IC=10mA ; VCE=5V 100 200 320 fT Transition frequency IC=20mA ; VCE=10V 200 MHz Cob Output capacitance IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz 3.2 pF hFE-2 Classifications Q 100-200 P 160-320 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC2682 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SC2682

1. 物料型号：2SC2682，这是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介：该器件是音频频率功率放大器和高频功率放大器应用的补充，与2SA1142型号相匹配，采用TO-126封装。

3. 引脚分配： - PIN 1：发射极（Emitter） - PIN 2：集电极，连接到安装底座（Collector;connected to mounting base） - PIN 3：基极（Base）

4. 参数特性： - VCBO：集电极-基极电压，开路发射极，180V - VCEO：集电极-发射极电压，开路基极，180V - VEBO：发射极-基极电压，开路集电极，5V - Ic：集电极电流，0.1A - Pc：集电极功率耗散，Ta=25°C时为1.2W，Tc=25°C时为10W - Tj：结温，150°C - Tstg：存储温度，-55~150°C

5. 功能详解：包括饱和电压、截止电流、直流电流增益、过渡频率和输出电容等参数。例如： - VCEsat：集电极-发射极饱和电压，IC=50mA; IB=5mA时，0.12~0.5V - VBEsat：基极-发射极饱和电压，IC=50mA; IB=5mA时，0.8~1.5V - ICBO：集电极截止电流，VCB=180V; IE=0时，1μA - IEBO：发射极截止电流，VEB=3V; IC=0时，1μA - hFE：直流电流增益，IC=1mA; VCE=5V时，90~190 - fT：过渡频率，IC=20mA; VCE=10V时，200MHz - Cob：输出电容，IE=0; VCB=10V; f=1MHz时，3.2pF

6. 应用信息：适用于音频频率功率放大器和高频功率放大器应用。

7. 封装信息：TO-126封装，文档中提供了简化的外形图和符号。

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