物料型号：
- 型号：2SC2716
器件简介：
- 2SC2716是一款硅NPN功率晶体管，采用TO-220AE封装。
- 特点包括高功率增益（Gp≥12dB，f=27MHz，P0=16W）和高可靠性。
引脚分配：
- 引脚1：基极（BASE）
- 引脚2：集电极（COLLECTOR）
- 引脚3：发射极（EMITTER）
参数特性：
- 集-基电压（VCBO）：80V
- 集-射电压（VCEO）：30V
- 发-基电压（VEBO）：5V
- 集电极电流（IcM）：6A
- 集电极功率耗散@Tc=25°C：20W
- 集电极功率耗散@Ta=25°C：1.7W
- 结温（T）：150°C
- 存储温度范围（Tstg）：-55~150°C
功能详解：
- 2SC2716设计用于射频功率放大器应用。
- 在Ic=2A和Ib=0.2A条件下，集-射饱和电压（VcE(sat)）最大为1.0V。
- 在VcB=30V和IE=0条件下，集电极截止电流（IcBO）最大为0.1mA。
- 在VcE=25V和Ib=0条件下，集电极截止电流（ICEO）最大为0.1mA。
- 在VEB=4V和Ic=0条件下，发射极截止电流（IEBO）最大为0.1mA。
- 在Ic=0.5A和VcE=5V条件下，直流电流增益（hFE）范围为20至180。
- 在Vcc=12V、Pin=1W和f=27MHz条件下，输出功率（Po）范围为16至18W。
- 功率效率（η）范围为60%至70%。
应用信息：
- 2SC2716适用于射频功率放大器。
封装信息：
- 封装类型：TO-220AE
- 封装尺寸参数（单位：mm）：
- A：14.48-15.75
- B：9.66-10.28
- C：4.07-4.82
- D：0.64-0.88
- F：3.61-3.73
- G：2.42-2.66
- H：2.80-3.93
- J：0.46-0.64
- K：12.70-14.27
- L：1.15-1.52
- N：4.83-5.33
- Q：2.54-3.04
- R：2.04-2.79
- S：1.15-1.39
- T：5.97-6.47
- U：0.00-1.27
- V：1.15
- z：2.04
