2SC2944

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC2944 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2944 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage,high speed switching ·High reliability ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·Color & B/W TV power supply ·Active power filter ·Industrial use power supply ·General purpose power amplifiers PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Emitter DESCRIPTION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Base current (DC) Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 250 200 7 15 5 100 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C Thermal resistance junction case PARAMETER MAX 1.25 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)EBO V(BR)CBO VCE(sat) VBE(sat) ICBO IEBO hFE PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain CONDITIONS IC=10mA ; IB=0 IE=0.1mA ; IC=0 IC=0.1mA ; IE=0 IC=6A ;IB=1.2A IC=6A ;IB=1.2A VCB=250V; IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=2A ; VCE=5V 20 MIN 200 7 250 2SC2944 TYP. MAX UNIT V V V 0.8 1.2 0.1 0.1 80 V V mA mA Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=10A; IB1=-IB2=2A RL=5ΩPw=20μs,Duty≤2% 0.8 1.5 0.4 μs μs μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC2944 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2SC2944

1. 物料型号：2SC2944，这是Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介： - 采用TO-3PN封装。 - 特点包括高电压、高速开关、高可靠性和低饱和电压。

3. 引脚分配： - 引脚1：Base（基极） - 引脚2：Collector;connected to mounting base（集电极；连接到安装底座） - 引脚3：Emitter（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25℃）： - VCBO：Collector-base voltage（集电-基电压）250V - VCEO：Collector-emitter voltage（集电-发射电压）200V - VEBO：Emitter-base voltage（发射-基电压）7V - Ic：Collector current (DC)（集电极电流（直流））15A - 1B：Base current (DC)（基极电流（直流））5A - Pc：Collector power dissipation（集电极功率耗散）100W - Tj：Junction temperature（结温）150°C - Tstg：Storage temperature（储存温度）-55~150°C - 热特性： - Rthj-c：Thermal resistance junction case（结到封装的热阻）1.25°C/W

5. 功能详解： - 特性（Tj=25℃ unless otherwise specified）： - V(BR)CEO：Collector-emitter breakdown voltage（集电-发射击穿电压）200V - V(BR)EBO：Emitter-base breakdown voltage（发射-基击穿电压）7V - V(BRCBO：Collector-base breakdown voltage（集电-基击穿电压）250V - VcE(sat)：Collector-emitter saturation voltage（集电-发射饱和电压）0.8V - VBE(sat)：Base-emitter saturation voltage（基极-发射极饱和电压）1.2V - IcBO：Collector cut-off current（集电极截止电流）0.1mA - IEBO：Emitter cut-off current（发射极截止电流）0.1mA - hFE：DC current gain（直流电流增益）20-80 - 开关时间： - ton：Turn-on time（开通时间）0.8s - ts：Storage time（存储时间）1.5s - tf：Fall time（下降时间）0.4s

6. 应用信息： - 彩色和黑白电视电源 - 有源电力滤波器 - 工业用电源 - 通用电源放大器

7. 封装信息： - 提供了TO-3PN封装的外形图和尺寸（未标明的公差：±0.10mm）。

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