2SC3038

2SC3038

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC3038 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SC3038 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High breakdown voltage : VCBO=500V(Min) ·Wide area of safe operation ·Fast switching speed APPLICATIONS ·400V/4A switching regulator applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2SC3038 · Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-pulse Base current PW≤300μs,Duty cycle≤10% CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 500 400 7 4 8 1.5 1.75 PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 40 150 -55~150 ℃ ℃ W UNIT V V V A A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCE(sat) VBE(sat) ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=5mA ; RBE=∞ IC=1mA ; IE=0 IE=1mA ; IC=0 IC=2A; IB=0.4A IC=2A; IB=0.4A VCB=400V ;IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.4A ; VCE=5V IC=2A ; VCE=5V IC=0.4A ; VCE=10V f=1MHz ; VCB=10V 15 8 20 40 MIN 400 500 7 2SC3038 TYP. MAX UNIT V V V 1.0 1.5 10 10 50 V V μA μA MHz pF Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time VCC=200V; IC=3A IB1=0.6A;IB2=-0.6A; RL=66.6Ω 1.0 2.5 1.0 μs μs μs hFE-1 Classifications L 15-30 M 20-40 N 30-50 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3038 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SC3038
1. 物料型号:2SC3038,由Inchange Semiconductor生产的一款Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介: - 采用TO-220C封装。 - 具有高击穿电压,最小值为500V。 - 拥有广泛的安全工作区域。 - 快速开关速度。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base)。 - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector;connected to mounting base)。 - 3号引脚:发射极(Emitter)。

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):500V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):400V。 - 发射极-基极电压(VEBO):7V。 - 集电极电流(Ic):4A。 - 集电极脉冲电流(IcP):8A(脉冲宽度≤300μs,占空比≤10%)。 - 基极电流(IB):1.5A。 - 集电极功耗(Pc):1.75W。

5. 功能详解: - 适用于400V/4A的开关稳压器应用。 - 具有特定的击穿电压和饱和电压参数。 - 直流电流增益(hFE)在不同集电极电流下有不同的范围。 - 过渡频率(fT)为20MHz。 - 输出电容(CoB)为40pF。

6. 应用信息: - 主要应用于400V/4A的开关稳压器。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-220C,具体尺寸如图1所示,未标注的公差为0.10mm。
2SC3038 价格&库存

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