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2SC3257

2SC3257

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC3257 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC3257 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3257 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·High collector breakdown voltage ·Excellent switching times APPLICATIONS ·Switching regulator and high voltage switching applications ·High speed DC-DC converter applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current TC=25℃ PC Collector power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 40 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 250 200 7 10 15 2 1.5 W UNIT V V V A A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain CONDITIONS IC=10mA ;IB=0 IC=1mA ;IE=0 IC=5A;IB=0.5A IC=5A;IB=0.5A VCB=200V;IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=10mA ; VCE=5V IC=5A ; VCE=5V 15 20 MIN 200 250 2SC3257 TYP. MAX UNIT V V 1.0 1.5 100 1.0 V V μA mA 80 Switching times tr ts tf Rise time Storage time Fall time IB1=-IB2=0.6A;VCC≈150V RL=25Ω 1.0 2.5 1.0 μs μs μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3257 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SC3257
物料型号: - 型号:2SC3257

器件简介: - 该器件是一个硅NPN功率晶体管,采用TO-220封装,具有高集电极击穿电压和优异的开关时间。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector),连接到安装底座 - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):250V - 集电极-发射极电压(VCEO):200V - 发射极-基极电压(VEBO):7V - 集电极电流(Ic):10A - 集电极峰值电流(IcM):15A - 基极电流(Ib):2A - 集电极功耗(Pc):1.5W(Tc=25°C时)/ 40W(Ta=25°C时) - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C

功能详解: - 该晶体管的主要特性包括击穿电压、饱和电压和截止电流等,具体数值如下: - 击穿电压(V(BR)CEO):200V - 击穿电压(V(BR)CBO):250V - 饱和电压(VcEsat):1.0V - 饱和电压(VBEsat):1.5V - 截止电流(ICBO):100uA - 截止电流(IEBO):1.0mA - 直流电流增益(hFE)有两个值,分别为15和20,取决于集电极电流。 - 开关时间包括上升时间、存储时间和下降时间,具体数值如下: - 上升时间(tr):1.0us - 存储时间(ts):2.5us - 下降时间(tf):1.0us

应用信息: - 适用于开关调节器和高压开关应用,高速DC-DC转换器应用。

封装信息: - 封装类型为TO-220,文档中提供了封装的简化外形图和符号。
2SC3257 价格&库存

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