2SC3272

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC3272 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3272 DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·For power amplification PINNING（see Fig.2） PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 300 300 5 0.1 0.2 10 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SC3272 TYP. MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=50mA ;IB=5m A IC=10μA;IE=0 2.0 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage 300 V V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=1mA; IB=0 IE=10μA; IC=0 300 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 5 V hFE DC current gain IC=10mA ; VCE=10V 39 180 μA μA ICBO Collector cut-off current VCB=200V; IE=0 0.5 IEBO Emitter cut-off current VEB=4V; IC=0 0.5 COB Output capacitance IE=0; VCB=30V;f=1MHz 3 pF fT Transition frequency IC=10mA ; VCB=30V 50 MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3272 Fig.2 outline dimensions 3

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2SC3272

物料型号：2SC3272

器件简介： - 2SC3272是一款由Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。 - 该器件具有高击穿电压，并采用TO-126封装。

引脚分配： - PIN 1: Emitter（发射极） - PIN 2: Collector（集电极） - PIN 3: Base（基极）

参数特性： - 集-基电压（VCBO）：300V，开路发射极 - 集-射电压（VCEO）：300V，开路基极 - 发-基电压（VEBO）：5V，开路集电极 - 集电极电流（Ic）：0.1A - 集电极峰值电流（IcM）：0.2A - 集电极功耗（Pc）：10W，结温25°C - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55至150°C

功能详解： - 饱和压降（VcEsat）：在Ic=50mA，Ib=5mA时为2.0V - 集-基击穿电压（V(BR)CBO）：在Ic=10mA，Ib=0时为300V - 集-射击穿电压（V(BR)CEO）：在Ic=1mA，Ib=0时为300V - 发-基击穿电压（V(BR)EBO）：在Ie=10mA，Ic=0时为5V - 直流电流增益（hFE）：在Ic=10mA，VcE=10V时为39至180 - 集电极截止电流（ICBO）：在VcB=200V，Ie=0时小于0.5A - 发射极截止电流（IEBO）：在VeB=4V，Ic=0时小于0.5A - 输出电容（Cob）：在Ie=0，VcB=30V，f=1MHz时为3pF - 转换频率（fr）：在Ic=10mA，VcB=30V时为50MHz

应用信息： - 2SC3272适用于功率放大。

封装信息： - 该器件采用TO-126封装，具体尺寸见图2。

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