2SC3298A

2SC3298A

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC3298A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SC3298A 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3298 2SC3298A 2SC3298B DESCRIPTION ・With TO-220Fa package ・Complement to type 2SA1306,2SA1306A,2SA1306B APPLICATIONS ・Power amplifier applications ・Driver stage amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter ・ Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SC3298 VCBO Collector-base voltage 2SC3298A 2SC3298B 2SC3298 VCEO Collector-emitter voltage 2SC3298A 2SC3298B VEBO IC IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 160 180 200 160 180 200 5 1.5 0.15 20 150 -55~150 V A A W ℃ ℃ V V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SC3298 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SC3298A 2SC3298B VCEsat VBE ICBO IEBO hFE Cob fT Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Output capacitance Transition frequency 2SC3298 2SC3298A 2SC3298B CONDITIONS MIN 160 TYP. MAX UNIT IC=10mA , IB=0 180 200 V IC=0.5A, IB=50mA IC=0.5A ,VCE=5V VCB=160V, IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.1A ; VCE=5V IE=0 ; VCB=10V,f=1MHz IC=0.1A ; VCE=10V 70 25 100 1.5 1.0 1.0 1.0 240 V V μA μA pF MHz hFE Classifications O 70-140 Y 120-240 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC3298 2SC3298A 2SC3298B Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3
2SC3298A
1. 物料型号: - 型号为2SC3298、2SC3298A和2SC3298B。

2. 器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-220Fa封装,是2SA1306、2SA1306A和2SA1306B型号的补充。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - VCBO(集电极-基极电压):2SC3298为160V,2SC3298A为180V,2SC3298B为200V。 - VCEO(集电极-发射极电压):2SC3298为160V,2SC3298A为180V,2SC3298B为200V。 - VEBO(发射极-基极电压):开集电极时为5V。 - lc(集电极电流):1.5A。 - IB(基极电流):0.15A。 - Pc(集电极功耗):在Tc=25°C时为20W。 - Tj(结温):150°C。 - Tstg(储存温度):-55至150°C。

5. 功能详解: - 特性(Tj=25°C,除非另有说明): - V(BR)CEO(集电极-发射极击穿电压):2SC3298为160V,2SC3298A为180V,2SC3298B为200V。 - VCEsat(集电极-发射极饱和电压):在Ic=0.5A,Ia=50mA时为1.5V。 - VBE(基极-发射极电压):在Ic=0.5A,VcE=5V时为1.0V。 - ICBO(集电极截止电流):在VcB=160V,Ie=0时为1.0uA。 - IEBO(发射极截止电流):在VEB=5V,Ic=0时为1.0A。 - hFE(直流电流增益):在Ic=0.1A,VcE=5V时,最小值为70,最大值为240。 - Cab(输出电容):在Ie=0,VcB=10V,f=1MHz时为25pF。 - fr(转换频率):在Ic=0.1A,VcE=10V时为100MHz。

6. 应用信息: - 适用于功率放大应用和驱动级放大应用。

7. 封装信息: - 封装为TO-220Fa,具体尺寸见图2,未标明的公差为±0.15mm。
2SC3298A 价格&库存

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