1. 物料型号：2SC3420，为Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：具有TO-126封装，高直流电流增益，低饱和电压，高集电极功耗。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：Emitter（发射极）
- 2号引脚：Collector（集电极；与W安装底座相连）
- 3号引脚：Base（基极）
4. 参数特性：
- VCBO：Collector-base voltage（集电极-基极电压），值为50V
- VCEO：Collector-emitter voltage（集电极-发射极电压），值为20V
- VEBO：Emitter-base voltage（发射极-基极电压），值为8V
- Ic：Collector current（集电极电流），值为5A
- ICM：Collector current-peak（集电极峰值电流），值为8A
- IB：Base current（基极电流），值为1A
- Pc：Collector power dissipation（集电极功耗），值为1.5W（Ta=25°C时）和10W（Tc=25°C时）
- T：Junction temperature（结温），值为150°C
- Tstg：Storage temperature（存储温度），范围为-55~+150°C
5. 功能详解：
- ICBO：Collector cutoff current（集电极截止电流），值为100nA
- IEBO：Emitter cutoff current（发射极截止电流），值为100nA
- V(BR)CEO：Collector-emitter breakdown voltage（集电极-发射极击穿电压），值为20V
- VcEsat：Collector-emitter saturation voltage（集电极-发射极饱和电压），值为1V
- VBE：Base-emitter voltage（基极-发射极电压），值为1.5V
- hFE-1：DC current gain（直流电流增益）在Ic=0.5A;VcE=2V时，范围为140-600
- hFE-2：DC current gain（直流电流增益）在Ic=4A;VcE=2V时，范围为70-600
- Cob：Output capacitance（输出电容），值为40pF
- fr：Transition frequency（转换频率），值为100MHz
6. 应用信息：
- Storobo flash applications（存储闪光灯应用）
- Medium power amplifier applications（中等功率放大器应用）
7. 封装信息：
- PDF中提供了TO-126封装的外形图，具体尺寸未在文本中给出，但可以通过提供的图片链接查看。
工商网监
湘ICP备2023018690号
