2SC3884

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC3884 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3884 DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage: VCBO= 1400V (Min) ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Horizontal deflection output for high resolution display. ·High speed switching regulator output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 600 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current- Continuous 6 A ICM Collector Current- Peak 12 A IB B Base Current- Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature 3 A PC 50 W TJ 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SC3884 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 5mA; IB= 0 B 600 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 1A B 5.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 1A B 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 1400V; IE= 0 1.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 10 μA hFE DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 8 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.1A; VCE= 10V 3 MHz COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; ftest= 1.0MHz 210 pF Switching Times , Resistive load tstg Storage Time ICP= 4A, IB1= 0.8A; IB2= -1.6A; RL= 50Ω 2.5 μs tf Fall Time 0.15 μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SC3884

1. 物料型号：2SC3884，是INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistor。

2. 器件简介：具有高击穿电压（VCBO=1400V最小值）和高开关速度。

3. 引脚分配：PIN 1: BASE（基极），PIN 2: COLLECTOR（集电极），PIN 3: EMITTER（发射极）。封装为TO-3P(HS package)。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：1400V - 集电极-发射极电压（VCEO）：600V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 连续集电极电流（Ic）：6A - 峰值集电极电流（IcM）：12A - 连续基极电流（IB）：3A - 集电极功耗（Pc）：50W @ Tc=25°C - 结温（TJ）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解：包括电气特性描述，如集电极-发射极击穿电压（VBR)CEO）、集电极-发射极饱和电压（VcE(sat)）、基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）、集电极截止电流（ICBO）、发射极截止电流（IEBO）、直流电流增益（hFE）和电流增益-带宽积（fT）等。

6. 应用信息：适用于高分辨率显示器的水平偏转输出和高速开关调节器输出应用。

7. 封装信息：封装尺寸参数以mm为单位，详细列出了各部分的最小和最大尺寸。

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