2SC4109

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC4109 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4109 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High reliability ·High breakdown voltage ·Fast switching speed ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·400V/16A switching regulator applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-pulse Base current Ta=℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 140 150 -55~150 ℃ ℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 500 400 7 16 32 6 2.5 W UNIT V V V A A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4109 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 fT COB PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=10mA ; RBE=∞ IC=1mA ; IE=0 IE=1mA ; IC=0 IC=10A; IB=2A IC=10A; IB=2A VCB=400V ;IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=2A ; VCE=5V IC=10A ; VCE=5V IC=10mA ; VCE=5V IC=2A ; VCE=10V f=1MHz ; VCB=10V 15 10 10 20 230 MHz pF MIN 400 500 7 0.8 1.5 10 10 50 TYP. MAX UNIT V V V V V μA μA Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time IC=12A;IB1=2.4A; IB2=-4.8A;RL=16.6Ω VCC=200V 0.5 2.5 0.3 μs μs μs hFE-1 classifications L 15-30 M 20-40 N 30-50 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC4109 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4109 4

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2SC4109

1. 物料型号：2SC4109，由Inchange Semiconductor生产。

2. 器件简介： - 封装类型：TO-3PN。 - 特点：高可靠性、高击穿电压、快速开关速度、安全的宽操作区域。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base）。 - 引脚2：集电极，与安装底座相连（Collector; connected to W.ho mounting base）。 - 引脚3：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：500V，开发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：400V，开基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：7V，开集电极。 - 集电极电流（Ic）：16A。 - 集电极脉冲电流（Icp）：32A。 - 基极电流（IB）：6A。 - 集电极功耗（Pc）：2.5W，环境温度Ta=25°C时为140W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55~150°C。

5. 功能详解： - 工作在400V/16A的开关稳压器应用。 - 击穿电压、饱和电压、截止电流、直流电流增益、开关时间等参数详细列出。

6. 应用信息： - 主要用于400V/16A的开关稳压器应用。

7. 封装信息： - 提供了TO-3PN封装的外形尺寸图，未标明的公差为±0.1mm。

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