1. 物料型号：
- 型号为2SC4138，是一款由INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 该器件具有高集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO=400V最小值）、高开关速度和高可靠性，适用于开关稳压器和一般用途的应用。
3. 引脚分配：
- 引脚1：基极（BASE）
- 引脚2：集电极（COLLECTOR）
- 引脚3：发射极（EMITTER）
- 封装形式为TO-3PN。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值包括：集基电压VCBO为500V，集电极-发射极电压VCEO为400V，基极-发射极电压VEBO为10V，连续集电极电流Ic为10A，峰值集电极电流IcM为20A，连续基极电流Ib为4A，集电极功耗Pc在25°C时为80W，结温TJ为150°C，存储温度范围Tstg为-55至150°C。
5. 功能详解和应用信息：
- 电气特性包括：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO在IC=25mA且IB=0时为400V，集电极-发射极饱和电压VCE(sat)在IC=6A且IB=1.2A时为0.5V，基极-发射极饱和电压VBE(sat)在IC=6A且IB=1.2A时为1.3V，集基截止电流ICBO为0.1mA，发射极截止电流IEBO在VEB=10V且IC=0时为0.1mA，直流电流增益hFE在IC=6A且VCE=4V时为10至30，输出电容COB在IE=0且VCB=10V且测试频率为1.0MHz时为85pF，电流增益-带宽积fT在IE=-0.7A且VCE=12V时为10MHz。
- 开关时间包括：开通时间ton为1.0μs，存储时间tstg为3.0μs，下降时间tf为0.5μs。
6. 封装信息：
- 提供了详细的封装尺寸参数，包括最小值和最大值，涉及A到Y等多个尺寸参数。
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