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2SC4149

2SC4149

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SC4149 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC4149 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4149 DESCRIPTION ・With ITO-220 package ・Switching power transistor ・Low saturation voltage PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (ITO-220) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Base current-Peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 60 40 7 10 20 1.5 2 25 150 -55~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C PARAMETER Thermal resistance junction case MAX 5.0 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4149 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBEsat ICBO ICEO IEBO hFE fT PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current At rated volatge Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency At rated volatge IC=5A ; VCE=2V IC=1A ; VCE=10V 70 50 MHz 0.1 mA 0.1 mA CONDITIONS IC=0.1A ;IB=0 IC=5A; IB=0.25A IC=5A; IB=0.25A MIN 40 0.3 1.2 TYP. MAX UNIT V V V Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=5A;IB1=0.5A IB2=0.5A ,RL=5Ω VBB2=4V 0.3 1.5 0.5 μs μs μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SC4149 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.20 mm) 3
2SC4149
1. 物料型号: - 型号为2SC4149,由Inchange Semiconductor生产。

2. 器件简介: - 2SC4149是一款硅NPN功率晶体管,采用ITO-220封装,适用于开关电源晶体管,具有低饱和电压特性。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25℃): - VCBO:60V(集电极-基极电压,开路发射极) - VCEO:40V(集电极-发射极电压,开路基极) - VEBO:7V(发射极-基极电压,开路集电极) - IC:10A(集电极电流) - ICM:20A(集电极峰值电流) - IB:1.5A(基极电流) - IBM:2A(基极峰值电流) - PT:25W(总功率耗散,TC=25℃) - Tj:150℃(结温) - Tstg:-55~150℃(存储温度)

5. 功能详解: - 热特性参数: - Rth j-C:5.0℃/W(结到封装的热阻) - 特性参数(Tj=25℃,除非另有说明): - VCEO(SUS):40V(集电极-发射极维持电压) - VCEsat:0.3V(集电极-发射极饱和电压) - VBEsat:1.2V(基极-发射极饱和电压) - ICBO:0.1mA(集电极截止电流) - IEBO:0.1mA(发射极截止电流) - hFE:70(直流电流增益) - fr:50MHz(过渡频率)

6. 应用信息: - 该晶体管适用于需要高功率和高效率的应用,如开关电源。

7. 封装信息: - 封装类型为ITO-220,具体尺寸参见PDF中的图2,未标注的公差为±0.20mm。
2SC4149 价格&库存

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