2SC4242

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SC4242 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4242 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 400V(Min) ·Fast Switching Speed ·Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)= 0.8V(Max.)@ IC= 4.0A APPLICATIONS ·Designed for use in high-voltage, high-speed , power switching in inductive circuit , they are particularly suited for 115 and 220V switchmode applications such as switching regulator’s, inverters, DC-DC converter. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 450 400 8 7 14 2 40 150 -55~150 UNIT V V V A A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 3.125 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SC4242 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.1A; IB= 0 400 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 1mA; IE= 0 450 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 8 V VCE(sat) VBE(sat) ICBO Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.8A B 0.8 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.8A B 1.2 V μA μA Collector Cutoff Current VCB= 450V; IE= 0 100 IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 8V; IC= 0 100 hFE DC Current Gain IC= 4A ; VCE= 5V 10 Switching times μs μs μs ton tstg tf Turn-on Time IC= 5A , IB1= -IB2=1A RL= 30Ω; VCC= 150V 1.0 Storage Time 2.5 Fall Time 0.5 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SC4242

1. 物料型号：2SC4242，这是由INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistor。

2. 器件简介： - 该器件是一种硅NPN功率晶体管，具有快速开关速度和高电压承受能力。 - 集电极-发射极维持电压为400V，集电极-发射极饱和电压在4.0A电流下最大为0.8V。

3. 引脚分配：PIN 1.BASE（基极），PIN 2.COLLECTOR（集电极），PIN 3.EMITTER（发射极），封装形式为TO-220C。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括450V的集电极-基极电压、400V的集电极-发射极电压、8V的发射极-基极电压、7A的连续集电极电流、14A的峰值集电极电流、2A的连续基极电流、40W的集电极功率耗散（在25°C时）以及150°C的结温。 - 热特性包括3.125°C/W的结到外壳的热阻。

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于高电压、高速、功率开关应用，特别是在115V和220V开关模式应用中，如开关稳压器、逆变器、DC-DC转换器等。

6. 应用信息：适用于高电压、高速、功率开关的电感电路，特别适合115V和220V的开关模式应用。

7. 封装信息：封装形式为TO-220C，具体的尺寸参数如下（单位为毫米）： - A: 15.70-15.90 - B: 9.90-10.10 - C: 4.20-4.40 - D: 0.70-0.90 - F: 3.40-3.60 - G: 4.98-5.18 - H: 2.70-2.90 - J: 0.44-0.46 - K: 13.20-13.40 - L: 1.10-1.30 - Q: 2.70-2.90 - R: 2.50-2.70 - S: 1.29-1.31 - U: 6.45-6.65 - V: 8.66-8.86

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